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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

AOWF25S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF25S65

Teilbestand: 39108

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wunschzettel.
AO3413
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3413

Teilbestand: 173625

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 97 mOhm @ 3A, 4.5V,

Wunschzettel.
AO3415A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3415A

Teilbestand: 114748

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wunschzettel.
AON6278
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6278

Teilbestand: 68533

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 34A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel.
AO3423
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3423

Teilbestand: 124832

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 92 mOhm @ 2A, 10V,

Wunschzettel.
AOTF25S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF25S65

Teilbestand: 41253

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 12.5A, 10V,

Wunschzettel.
AOV20S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOV20S60

Teilbestand: 46823

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Ta), 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AOW20S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW20S60

Teilbestand: 47356

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AOWF20S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF20S60

Teilbestand: 47333

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel.
AOW15S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW15S65

Teilbestand: 49550

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V,

Wunschzettel.
AO3420
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3420

Teilbestand: 145151

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS8407-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8407-7TRL

Teilbestand: 39997

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 240A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF1405
Infineon Technologies

AUIRF1405

Teilbestand: 39980

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 101A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF7737L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7737L2TR

Teilbestand: 40268

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), 156A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 mOhm @ 94A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRL1404ZSTRL
Infineon Technologies

AUIRL1404ZSTRL

Teilbestand: 40342

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF1405ZS-7TRL
Infineon Technologies

AUIRF1405ZS-7TRL

Teilbestand: 40685

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF4905L
Infineon Technologies

AUIRF4905L

Teilbestand: 41736

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 42A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFR2905Z
Infineon Technologies

AUIRFR2905Z

Teilbestand: 38180

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.5 mOhm @ 36A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRL1404Z
Infineon Technologies

AUIRL1404Z

Teilbestand: 43217

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRL1404ZL
Infineon Technologies

AUIRL1404ZL

Teilbestand: 43214

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.1 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS3306TRL
Infineon Technologies

AUIRFS3306TRL

Teilbestand: 44445

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF1405ZSTRL
Infineon Technologies

AUIRF1405ZSTRL

Teilbestand: 42446

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFB8407
Infineon Technologies

AUIRFB8407

Teilbestand: 44819

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFSL8407
Infineon Technologies

AUIRFSL8407

Teilbestand: 44827

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF3305
Infineon Technologies

AUIRF3305

Teilbestand: 44856

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 140A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS6535TRL
Infineon Technologies

AUIRFS6535TRL

Teilbestand: 42635

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 185 mOhm @ 11A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFB4610
Infineon Technologies

AUIRFB4610

Teilbestand: 44938

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 73A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 44A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF3415
Infineon Technologies

AUIRF3415

Teilbestand: 5901

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 43A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 22A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF3710ZSTRL
Infineon Technologies

AUIRF3710ZSTRL

Teilbestand: 46791

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 35A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF1404ZSTRL
Infineon Technologies

AUIRF1404ZSTRL

Teilbestand: 44911

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF1405ZL
Infineon Technologies

AUIRF1405ZL

Teilbestand: 46226

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF3315STRL
Infineon Technologies

AUIRF3315STRL

Teilbestand: 54813

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 82 mOhm @ 12A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFS6535
Infineon Technologies

AUIRFS6535

Teilbestand: 46470

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 185 mOhm @ 11A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF1404ZL
Infineon Technologies

AUIRF1404ZL

Teilbestand: 48897

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRF3205ZSTRL
Infineon Technologies

AUIRF3205ZSTRL

Teilbestand: 51293

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

Wunschzettel.
AUIRFB4410
Infineon Technologies

AUIRFB4410

Teilbestand: 50089

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 58A, 10V,

Wunschzettel.