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RFQs / Order.
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Transistoren - JFETs

MMBF5457
ON Semiconductor

MMBF5457

Teilbestand: 139477

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 10nA,

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KSK596ABU
ON Semiconductor

KSK596ABU

Teilbestand: 3426

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

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J107_D75Z
ON Semiconductor

J107_D75Z

Teilbestand: 3429

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

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TF256-4-TL-H
ON Semiconductor

TF256-4-TL-H

Teilbestand: 3437

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 100mV @ 1µA,

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J113_D75Z
ON Semiconductor

J113_D75Z

Teilbestand: 3347

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

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MMBF4391LT1
ON Semiconductor

MMBF4391LT1

Teilbestand: 3327

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 10nA,

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J111
ON Semiconductor

J111

Teilbestand: 140866

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 3V @ 1µA,

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FJZ594JBTF
ON Semiconductor

FJZ594JBTF

Teilbestand: 3424

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 20V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 1mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 1µA,

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J112-D27Z
ON Semiconductor

J112-D27Z

Teilbestand: 13297

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 1V @ 1µA,

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NSVJ3910SB3T1G
ON Semiconductor

NSVJ3910SB3T1G

Teilbestand: 135901

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 25V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 50mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 600mV @ 100µA,

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J177_D74Z
ON Semiconductor

J177_D74Z

Teilbestand: 3365

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 800mV @ 10nA,

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J113
ON Semiconductor

J113

Teilbestand: 138166

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 500mV @ 1µA,

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PN4091_D26Z
ON Semiconductor

PN4091_D26Z

Teilbestand: 3400

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 5V @ 1nA,

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