Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

QJD1210010

Teilbestand: 2869

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,

QJD1210SA1

Teilbestand: 2941

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 34mA,

QJD1210SA2

Teilbestand: 2896

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.6V @ 34mA,

QJD1210SB1

Teilbestand: 2931

QJD1210011

Teilbestand: 3308

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 100A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 5V @ 10mA,