Dioden - Zener - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 90

BZV55B75 L1G

Teilbestand: 237

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C39 L0G

Teilbestand: 184

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 28V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C7V5 L1G

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C20 L0G

Teilbestand: 194

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C11 L1G

Teilbestand: 212

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C13 R0G

Teilbestand: 248

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C27 L0G

Teilbestand: 177

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 20V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B7V5 L0G

Teilbestand: 236

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C15 L1G

Teilbestand: 195

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C8V2 L1G

Teilbestand: 220

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6.2V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C5V6 L1G

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55C2V7 L1G

Teilbestand: 170

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 10µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C3V6 L0G

Teilbestand: 168

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B6V8 L1G

Teilbestand: 205

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V6 L1G

Teilbestand: 164

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B3V9 L1G

Teilbestand: 179

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B4V3 L0G

Teilbestand: 245

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B13 L1G

Teilbestand: 246

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 26 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B43 L0G

Teilbestand: 174

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V9 L0G

Teilbestand: 231

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C6V8 L1G

Teilbestand: 230

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B4V3 L1G

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 75 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 1µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C18 R0G

Teilbestand: 180

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 13V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C33 L1G

Teilbestand: 215

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 24V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C4V3 R0G

Teilbestand: 243

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 13 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 3µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C3V3 L1G

Teilbestand: 171

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 2µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZX85C47 R0G

Teilbestand: 221

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 1.3W, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 33V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B15 L0G

Teilbestand: 234

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B22 L1G

Teilbestand: 239

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 16V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B47 L1G

Teilbestand: 173

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 110 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 35V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C75 L1G

Teilbestand: 237

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 75V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 170 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 56V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B4V7 L0G

Teilbestand: 253

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 500nA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZT55B51 L1G

Teilbestand: 206

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 125 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 38V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55C15 L0G

Teilbestand: 167

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 10mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B3V0 L1G

Teilbestand: 216

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 85 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 4µA @ 1V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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Taiwan Semiconductor Corporation

BZV55B13 L0G

Teilbestand: 154

Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±2%, Leistung max: 500mW, Impedanz (Max) (Zzt): 26 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 100mA,

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