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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Erinnerung

6116SA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA55DB

Teilbestand: 5807

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel.
6116LA70TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA70TDB

Teilbestand: 5766

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

Wunschzettel.
6116LA150TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA150TDB

Teilbestand: 5766

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

Wunschzettel.
6116LA150DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA150DB

Teilbestand: 5778

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

Wunschzettel.
6116SA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA45DB

Teilbestand: 5808

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

Wunschzettel.
6116SA150TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA150TDB

Teilbestand: 5760

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

Wunschzettel.
6116SA90DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA90DB

Teilbestand: 5747

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

Wunschzettel.
6116SA70TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA70TDB

Teilbestand: 5760

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

Wunschzettel.
6116SA120TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA120TDB

Teilbestand: 5810

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns,

Wunschzettel.
6116SA90TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA90TDB

Teilbestand: 5764

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

Wunschzettel.
6116LA35TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA35TDB

Teilbestand: 5823

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

Wunschzettel.
6116LA55TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA55TDB

Teilbestand: 5817

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel.
6116SA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA70DB

Teilbestand: 5782

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

Wunschzettel.
6116LA45DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA45DB

Teilbestand: 5743

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

Wunschzettel.
6116SA35TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA35TDB

Teilbestand: 5762

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

Wunschzettel.
6116LA70DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA70DB

Teilbestand: 5784

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

Wunschzettel.
6116LA120TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA120TDB

Teilbestand: 5835

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns,

Wunschzettel.
6116SA55TDB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA55TDB

Teilbestand: 5743

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel.
6116LA55DB
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA55DB

Teilbestand: 5782

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel.
6116SA35SOG8
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA35SOG8

Teilbestand: 7133

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

Wunschzettel.
6116SA35SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA35SOG

Teilbestand: 7140

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

Wunschzettel.
6116LA15SOGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA15SOGI8

Teilbestand: 634

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel.
6116SA15TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA15TPG

Teilbestand: 16353

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel.
6116LA20TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA20TPGI

Teilbestand: 17992

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

Wunschzettel.
6116LA25TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA25TPG

Teilbestand: 18858

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

Wunschzettel.
6116SA25SOGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA25SOGI

Teilbestand: 19795

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

Wunschzettel.
6116LA25SOGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA25SOGI

Teilbestand: 19813

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

Wunschzettel.
6116SA25TPGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA25TPGI

Teilbestand: 19812

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

Wunschzettel.
6116LA20SOGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA20SOGI

Teilbestand: 19885

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

Wunschzettel.
6116LA25SOG
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116LA25SOG

Teilbestand: 20791

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

Wunschzettel.
6116SA25TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA25TPG

Teilbestand: 20779

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

Wunschzettel.
6116SA20TPG
IDT, Integrated Device Technology Inc

6116SA20TPG

Teilbestand: 20734

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

Wunschzettel.
602-00032
Parallax Inc.

602-00032

Teilbestand: 47324

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

Wunschzettel.
602-20011
Parallax Inc.

602-20011

Teilbestand: 2167

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 2MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 6ms,

Wunschzettel.
602-00001
Parallax Inc.

602-00001

Teilbestand: 2078

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

Wunschzettel.
602-00005
Parallax Inc.

602-00005

Teilbestand: 2070

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8),

Wunschzettel.