Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 15m, Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: PNP Transistor, Verbindungsmethode: Cable,
Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 39.370" (1m), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 5ms, Verbindungsmethode: Cable,
Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 39.370" (1m), Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Connector,
Erfassungsmethode: Through-Beam, Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Verbindungsmethode: Cable,
Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 11.811" (300mm), Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 2.5ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Wire,
Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 11.811" (300mm), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Wire,
Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 19.685" (500mm), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: PNP - Open Collector/Light-ON, Verbindungsmethode: Cable,
Erfassungsmethode: Retroreflective, Erfassungsabstand: 157.480" (4m), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN, Verbindungsmethode: Cable,
Spannungsversorgung: 12V ~ 240V, 24V ~ 240V, Reaktionszeit: 12ms, Ausgangskonfiguration: FET - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Cable,
Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 4.724" (120mm), Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 2ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector, Verbindungsmethode: Cable,