Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

OPB882T51

OPB882T51

Teilbestand: 9696

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB880L55

OPB880L55

Teilbestand: 6006

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB865L11

OPB865L11

Teilbestand: 5912

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB920BZ

OPB920BZ

Teilbestand: 6056

Ausgangskonfiguration: Open Collector, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 20mA,

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OPB847L51

OPB847L51

Teilbestand: 6066

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB871L55

OPB871L55

Teilbestand: 6050

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB882L55

OPB882L55

Teilbestand: 6021

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB871T55TXV

OPB871T55TXV

Teilbestand: 277

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB365L55

OPB365L55

Teilbestand: 5952

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB390N11Z

OPB390N11Z

Teilbestand: 6113

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB890L51Z

OPB890L51Z

Teilbestand: 6101

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB850-1Z

OPB850-1Z

Teilbestand: 16634

Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: Transistor, Base-Emitter Resistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V,

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OPB890T51

OPB890T51

Teilbestand: 5935

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB370L51

OPB370L51

Teilbestand: 6036

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB871T51TXV

OPB871T51TXV

Teilbestand: 259

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB877T51

OPB877T51

Teilbestand: 6023

Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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GP1S194HCZ0F

GP1S194HCZ0F

Teilbestand: 6069

Erfassungsabstand: 0.067" (1.7mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor,

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PM-T64

PM-T64

Teilbestand: 3689

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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RPI-246

RPI-246

Teilbestand: 66590

Erfassungsabstand: 0.079" (2mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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RPI-576A

RPI-576A

Teilbestand: 5984

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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H22B1

H22B1

Teilbestand: 5990

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Photodarlington, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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OPB703W

OPB703W

Teilbestand: 6018

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QVA21113

QVA21113

Teilbestand: 6040

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QVB11133

QVB11133

Teilbestand: 6094

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QVB11233

QVB11233

Teilbestand: 6127

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EE-SX912P-R 1M

EE-SX912P-R 1M

Teilbestand: 6023

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Open Collector,

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EE-SX912P-C1J-R 0.3M

EE-SX912P-C1J-R 0.3M

Teilbestand: 6044

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Open Collector,

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EE-SX953P-R 1M

EE-SX953P-R 1M

Teilbestand: 2531

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V,

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WF120-60B410

WF120-60B410

Teilbestand: 53

Erfassungsabstand: 4.724" (120mm), Erfassungsmethode: Optical Flag, Ausgangskonfiguration: PNP/NPN,

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LTH-306-10

LTH-306-10

Teilbestand: 6079

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LTH-301-46

LTH-301-46

Teilbestand: 6050

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LTH-301-49K01

LTH-301-49K01

Teilbestand: 6022

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EE-SV3-G

EE-SV3-G

Teilbestand: 16057

Erfassungsabstand: 0.134" (3.4mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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HOA1888-013

HOA1888-013

Teilbestand: 6136

Erfassungsabstand: 0.472" (12mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Photodarlington, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V,

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HOA1876-002

HOA1876-002

Teilbestand: 4775

Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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CNA1006N

CNA1006N

Teilbestand: 5992

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V,

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