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Magnetsensoren - Schalter (Solid State)

AH3765Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3765Q-P-B

Teilbestand: 67887

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 9mT Trip, -9mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3363Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3363Q-P-B

Teilbestand: 76361

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 5.5mT Trip, 3.5mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3764Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3764Q-P-B

Teilbestand: 67872

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 6mT Trip, -6mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3362Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3362Q-P-B

Teilbestand: 76376

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 3mT Trip, 2mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3776-P-B
Diodes Incorporated

AH3776-P-B

Teilbestand: 96412

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 14mT Trip, -14mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 125°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3769Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3769Q-P-B

Teilbestand: 69749

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 25mT Trip, -25mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH374-P-B
Diodes Incorporated

AH374-P-B

Teilbestand: 100410

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: North Pole, South Pole, Erfassungsbereich: 5mT Trip, -5mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.2V ~ 20V,

Wunschzettel.
AH3766Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3766Q-P-B

Teilbestand: 67872

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 14mT Trip, -14mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3768Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3768Q-P-B

Teilbestand: 69840

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 20mT Trip, -20mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3366Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3366Q-P-B

Teilbestand: 76292

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 10mT Trip, 8mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3365Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3365Q-P-B

Teilbestand: 76369

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 10mT Trip, 8mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH173-PG-B-A
Diodes Incorporated

AH173-PG-B-A

Teilbestand: 76330

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 6mT Trip, -6mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 20V,

Wunschzettel.
AH3369Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3369Q-P-B

Teilbestand: 72507

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 17.5mT Trip, 1mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3367Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3367Q-P-B

Teilbestand: 72519

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 11.5mT Trip, 9mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH337-PG-B
Diodes Incorporated

AH337-PG-B

Teilbestand: 70495

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 15mT Trip, 3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 4.2V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3781-P-B
Diodes Incorporated

AH3781-P-B

Teilbestand: 93953

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 4mT Trip, -4mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 125°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3767Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3767Q-P-B

Teilbestand: 67858

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 17mT Trip, -17mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH183-PG-B
Diodes Incorporated

AH183-PG-B

Teilbestand: 54290

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 6mT Trip, 1mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 2.5V ~ 5.5V,

Wunschzettel.
AH3364Q-P-B
Diodes Incorporated

AH3364Q-P-B

Teilbestand: 76313

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 8mT Trip, 6mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH3775-P-B
Diodes Incorporated

AH3775-P-B

Teilbestand: 97704

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 9mT Trip, -9mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 125°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
AH211Z4-AG1
Diodes Incorporated

AH211Z4-AG1

Teilbestand: 118498

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 6mT Trip, -6mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3.5V ~ 16V,

Wunschzettel.
AH175-PG-B-A
Diodes Incorporated

AH175-PG-B-A

Teilbestand: 196994

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 6mT Trip, -6mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3.5V ~ 20V,

Wunschzettel.
AH211Z4-BG1
Diodes Incorporated

AH211Z4-BG1

Teilbestand: 152198

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 9mT Trip, -9mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3.5V ~ 16V,

Wunschzettel.
AH276Z4-CG1
Diodes Incorporated

AH276Z4-CG1

Teilbestand: 116992

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 10mT Trip, -10mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 3.5V ~ 16V,

Wunschzettel.
AH3373-P-B
Diodes Incorporated

AH3373-P-B

Teilbestand: 164315

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 55mT Trip, 35mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 125°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 28V,

Wunschzettel.
ABL005-00E
NVE Corp/Sensor Products

ABL005-00E

Teilbestand: 15788

Funktion: Special Purpose, Technologie: Magnetoresistive, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 36V,

Wunschzettel.
ABL014-00E
NVE Corp/Sensor Products

ABL014-00E

Teilbestand: 13153

Funktion: Special Purpose, Technologie: Magnetoresistive, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 36V,

Wunschzettel.
AD004-00E
NVE Corp/Sensor Products

AD004-00E

Teilbestand: 18601

Funktion: Omnipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: Either, Erfassungsbereich: ±2.5mT Trip, ±1.1mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 125°C, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 30V,

Wunschzettel.
ABL004-00E
NVE Corp/Sensor Products

ABL004-00E

Teilbestand: 15736

Funktion: Special Purpose, Technologie: Magnetoresistive, Spannungsversorgung: 4.5V ~ 36V,

Wunschzettel.
APS12235LUAABU
Allegro MicroSystems, LLC

APS12235LUAABU

Teilbestand: 92705

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: North Pole, South Pole, Erfassungsbereich: -18mT Trip, 18mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 2.8V ~ 5.5V,

Wunschzettel.
APS12205LUAABU
Allegro MicroSystems, LLC

APS12205LUAABU

Teilbestand: 92733

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 4mT Trip, -4mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 2.8V ~ 5.5V,

Wunschzettel.
APS12215LUAA
Allegro MicroSystems, LLC

APS12215LUAA

Teilbestand: 92707

Funktion: Latch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 9mT Trip, -9mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 125°C, Spannungsversorgung: 2.8V ~ 5.5V,

Wunschzettel.
A1153LUA-T
Allegro MicroSystems, LLC

A1153LUA-T

Teilbestand: 38188

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 11mT Trip, 4.5mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 24V,

Wunschzettel.
ATS468LSGTN-T
Allegro MicroSystems, LLC

ATS468LSGTN-T

Teilbestand: 34537

Funktion: Special Purpose, Technologie: Hall Effect, Erfassungsbereich: ±10mT Trip, ±0.3mT Release, Testbedingung: 25°C, Spannungsversorgung: 4V ~ 26.5V,

Wunschzettel.
ATS675LSETN-LT-T
Allegro MicroSystems, LLC

ATS675LSETN-LT-T

Teilbestand: 15635

Funktion: Special Purpose, Technologie: Hall Effect, Spannungsversorgung: 3.3V ~ 24V,

Wunschzettel.
A1157LUA-T
Allegro MicroSystems, LLC

A1157LUA-T

Teilbestand: 42117

Funktion: Unipolar Switch, Technologie: Hall Effect, Polarisation: South Pole, Erfassungsbereich: 8mT Trip, 1mT Release, Testbedingung: -40°C ~ 150°C, Spannungsversorgung: 3V ~ 24V,

Wunschzettel.