Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 65M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1.5 ~ 2.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 610mW @ 65MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 2M, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: 0 ~ VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 19mW @ 2MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 14k, Datenschnittstelle: I²C, Serial, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 1.5mW @ 1kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 250M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1.5Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 706mW @ 250MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 1M, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: ±10.24V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 72.5mW @ 1MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 170M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1.5Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 596mW @ 170MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 40M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 120mW @ 40MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 500k, Datenschnittstelle: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 135M, Datenschnittstelle: CMOS, LVDS, Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 828mW @ 135MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 25M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 47mW @ 25MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 310M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 400mVpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 777mW @ 310MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 666k, Datenschnittstelle: CMOS, LVDS, Serial, Eingabebereich: ±4.096V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 97mW @ 666kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 10, Abtastrate (pro Sekunde): 135M, Datenschnittstelle: CMOS, LVDS, Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 630mW @ 135MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 18, Abtastrate (pro Sekunde): 1.6M, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 18mW @ 1.6MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 40M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 121.1mW @ 40MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 10, Abtastrate (pro Sekunde): 80M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 422mW @ 80MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 250M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1.5Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 380mW @ 250MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 2M, Datenschnittstelle: CMOS, Serial, Eingabebereich: 8Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 35mW @ 2MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 18, Abtastrate (pro Sekunde): 250k, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: 0 ~ VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 3.4mW @ 250kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 6.8, Datenschnittstelle: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
Anzahl der A/D-Wandler: 8, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 65M, Datenschnittstelle: Serial LVDS, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 812mW @ 65MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 128k, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 15mW @ 128kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 39K, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±250mV, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 209mW @ 39kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 200k, Datenschnittstelle: DSP, MICROWIRE™, Parallel, QSPI™, Serial, SPI™, Eingabebereich: ±10V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 100mW @ 200kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 625k, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: ±3.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 955.5mW @ 625kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 500k, Datenschnittstelle: Serial, Parallel, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 67mW @ 500kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 18, Abtastrate (pro Sekunde): 670k, Datenschnittstelle: Serial, Parallel, Eingabebereich: ±4 x VREF,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 470, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±VREF/gain, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 2.5mW @ 470SPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 1M, Datenschnittstelle: DSP, Serial, SPI™,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 16, 24, Abtastrate (pro Sekunde): 105, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 4.85mW @ 105SPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 470, Datenschnittstelle: SPI, DSP, Eingabebereich: ±VREF/gain, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 2.5mW @ 470SPS,
Anzahl der Bits: 8, Abtastrate (pro Sekunde): 2.2G, Datenschnittstelle: LVDS, Eingabebereich: 2.5V,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 125M, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 630mW @ 125MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 400k, Datenschnittstelle: Serial,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 18, Abtastrate (pro Sekunde): 3.75 ~ 240, Datenschnittstelle: I²C, Eingabebereich: ±VREF,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 500M, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: 1.45Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 535mW @ 500MSPS,
