Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 1.2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 20GHz, Dazugewinnen: 6.5dB, Leistung max: 735mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3.3V, Häufigkeit - Übergang: 21GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 14dB, Leistung max: 115mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 11dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 18GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 9.5dB ~ 11.5dB, Leistung max: 130mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 2.3V, Häufigkeit - Übergang: 60GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 16dB, Leistung max: 80mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 7dB ~ 10dB, Leistung max: 130mW,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 150mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.3dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 8.3dB, Leistung max: 1.8W,
Transistortyp: 2 NPN (Dual), Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Leistung max: 130mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz, Leistung max: 125mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 7GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 11.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 9GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 13.5dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 6.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 9dB, Leistung max: 1.2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 3V, Häufigkeit - Übergang: 11GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz, Leistung max: 90mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Häufigkeit - Übergang: 5.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz, Leistung max: 2W,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 12GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 10dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Häufigkeit - Übergang: 8.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 5.5V, Häufigkeit - Übergang: 4.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ, Leistung max: 140mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 10V, Häufigkeit - Übergang: 10GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,
Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 14.5GHz, Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Dazugewinnen: 12dB, Leistung max: 200mW,
