Erinnerung

CY7C1320KV18-250BZXI

Teilbestand: 2322

CY7C1061GE18-15BVXI

Teilbestand: 2842

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

S71PL127JB0BFWQB0G

Teilbestand: 5940

S98WS512N0GFW0130G

Teilbestand: 477

S29WS128N0PBFW010

Teilbestand: 68

CY7C1387KV33-167AXC

Teilbestand: 2876

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (1M x 18), Taktfrequenz: 167MHz,

CY7C1380KV33-200AXC

Teilbestand: 2540

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (512K x 36), Taktfrequenz: 200MHz,

CY14V104NA-BA25XI

Teilbestand: 4529

S70PL254J00BFWA20F

Teilbestand: 6510

C08-0586-0001-0

Teilbestand: 5534

S29PL032J70BAI120A

Teilbestand: 6092

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (2M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

S70WS512N00BFWAB3

Teilbestand: 421

CY7C1061GN18-15ZSXIT

Teilbestand: 2942

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

CY7C1313KV18-250BZC

Teilbestand: 1621

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II, Speichergröße: 18Mb (1M x 18), Taktfrequenz: 250MHz,

CY7C1380KV33-167AXIT

Teilbestand: 2685

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (512K x 36), Taktfrequenz: 167MHz,

CY7C1372KVE33-167AXI

Teilbestand: 2513

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (1M x 18), Taktfrequenz: 167MHz,

S98WS512N0GFW0090

Teilbestand: 379

CY15B104Q-SXI

Teilbestand: 2775

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FRAM, Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 40MHz,

CY7C1311KV18-250BZC

Teilbestand: 2714

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, QDR II, Speichergröße: 18Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 250MHz,

V29F040B-150JC

Teilbestand: 797

CY7C1372KV33-200AXC

Teilbestand: 2896

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (1M x 18), Taktfrequenz: 200MHz,

CY7C1381KV33-100BZXI

Teilbestand: 2453

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (512K x 36), Taktfrequenz: 100MHz,

S40125MM270B0S010

Teilbestand: 221

CY15B104Q-LHXI

Teilbestand: 2732

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FRAM, Technologie: FRAM (Ferroelectric RAM), Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Taktfrequenz: 40MHz,

P770040BFWC052 XF

Teilbestand: 9741

CY7C1034DV33-10BGXIT

Teilbestand: 2925

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 6Mb (256K x 24), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

S40135MM270B0S020

Teilbestand: 286

CY7C1321KV18-250BZXC

Teilbestand: 2682

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II, Speichergröße: 18Mb (512K x 36), Taktfrequenz: 250MHz,

CY7C1371KV33-100AXC

Teilbestand: 2553

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (512K x 36), Taktfrequenz: 100MHz,

S98WS512N0GFW0130

Teilbestand: 445

CY7C1061G18-15BVXI

Teilbestand: 2798

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

S29PL127J70TAI130D

Teilbestand: 6278

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128M (8M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

CY14B104NA-BA45XET

Teilbestand: 2771

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 4Mb (256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

S99PL127J0090

Teilbestand: 6366

CY7C1051DV33-12ZSXI

Teilbestand: 2873

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 8Mb (512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

CY14B101LA-SZ45XI

Teilbestand: 2727

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,