Erinnerung

CG8413AAT

Teilbestand: 1881

IS29GL512S-11DHV01

Teilbestand: 7802

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

CY7C1024DV33-10BGXI

Teilbestand: 3968

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 3Mb (128K x 24), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns,

S70GL02GS11FHV020

Teilbestand: 3307

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Gb (128M x 16),

S30ML512P30TFI503

Teilbestand: 8384

CY14B101LA-BA45XI

Teilbestand: 3557

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

IS29GL512S-11DHB01

Teilbestand: 7780

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

CG8065AAT

Teilbestand: 1998

S30ML512P30TFI003

Teilbestand: 8339

S25FL129P0XMFV013M

Teilbestand: 1222

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

S34ML08G101TFI200

Teilbestand: 2929

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 8Gb (1G x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

CY14B101LA-ZS20XIT

Teilbestand: 4003

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

CY14B101KA-ZS25XIT

Teilbestand: 4038

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

CY7C1386KV33-167AXCT

Teilbestand: 3563

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (512K x 36), Taktfrequenz: 167MHz,

S25FL128P0XMFI003M

Teilbestand: 2120

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 3µs,

CY14B101LA-ZS20XI

Teilbestand: 3615

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

CY7C1361C-100AXET

Teilbestand: 3732

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 9Mb (256K x 36), Taktfrequenz: 100MHz,

CY7C1371KV33-133AXCT

Teilbestand: 3509

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 18Mb (512K x 36), Taktfrequenz: 133MHz,

CG8090AA

Teilbestand: 812

CG8328AMT

Teilbestand: 409

CG8303AAT

Teilbestand: 9288

CG8405AA

Teilbestand: 2106

CG8318AAT

Teilbestand: 2039

CG7859AA

Teilbestand: 1842

S25FL129P0XMFI003M

Teilbestand: 1061

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

IS29GL256S-10DHV02

Teilbestand: 7693

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

CG8097AA

Teilbestand: 2328

IS29GL128S-10TFV02-TR

Teilbestand: 7647

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

CY7C1321KV18-250BZCT

Teilbestand: 3823

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, DDR II, Speichergröße: 18Mb (512K x 36), Taktfrequenz: 250MHz,

CG8315AAT

Teilbestand: 1761

CG8273AAT

Teilbestand: 436

S30MS01GR25TFW000

Teilbestand: 8554

S25FL129P0XMFV001M

Teilbestand: 1117

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 104MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5µs, 3ms,

CY14B101LA-SP45XIT

Teilbestand: 3873

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns,

MSP14LV160-E1-TK-001

Teilbestand: 819

S99-50043-02

Teilbestand: 1342