Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 15.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 256,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 15.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 3V ~ 3.6V, Anzahl Makrozellencell: 128,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 2.5V, 3.3V, Anzahl Makrozellencell: 512, Anzahl der Tore: 48000,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 6.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 32,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 7.5ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.5V ~ 5.5V, Anzahl Makrozellencell: 32,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.5V ~ 5.5V, Anzahl Makrozellencell: 64,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 7.2ns, Spannungsversorgung - Intern: 2.5V, 3.3V, Anzahl Makrozellencell: 768, Anzahl der Tore: 72000,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 12.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 3V ~ 3.6V, Anzahl Makrozellencell: 64,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 32,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.5V ~ 5.5V, Anzahl Makrozellencell: 256,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 15.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 192,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 7.5ns, Spannungsversorgung - Intern: 2.5V, 3.3V, Anzahl Makrozellencell: 1536, Anzahl der Tore: 144000,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Logikelemente/Blöcke: 8, Anzahl Makrozellencell: 128,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 256,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 7.5ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 256,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 2.5V, 3.3V, Anzahl Makrozellencell: 768, Anzahl der Tore: 72000,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.5V ~ 5.5V, Anzahl Makrozellencell: 128,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 7.5ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.5V ~ 5.5V, Anzahl Makrozellencell: 64,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 12.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 3V ~ 3.6V, Anzahl Makrozellencell: 192,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 12.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 3V ~ 3.6V, Anzahl Makrozellencell: 32,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 20.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 3V ~ 3.6V, Anzahl Makrozellencell: 256,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 12.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.5V ~ 5.5V, Anzahl Makrozellencell: 512,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 64,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 10.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 3V ~ 3.6V, Anzahl Makrozellencell: 128,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 12.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 128,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 6.5ns, Spannungsversorgung - Intern: 3V ~ 3.6V, Anzahl Makrozellencell: 64,
Programmierbarer Typ: In-System Reprogrammable™ (ISR™) CMOS, Verzögerungszeit tpd(1) Max: 6.0ns, Spannungsversorgung - Intern: 4.75V ~ 5.25V, Anzahl Makrozellencell: 64,
