Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.063" (1.6mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.236" (6mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
