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Teilbestand: 124

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 143MHz,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 33595

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Teilbestand: 33662

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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AS7C31025C-12TIN

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Teilbestand: 29985

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Teilbestand: 101

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 800MHz,

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AS4C32M16D3L-12BCNTR

AS4C32M16D3L-12BCNTR

Teilbestand: 120

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR3, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 800MHz,

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Teilbestand: 28056

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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Teilbestand: 82

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 20ns,

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Teilbestand: 29747

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 166MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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Teilbestand: 27996

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 64Mb (2M x 32), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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AS4C32M8D1-5TCN

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Teilbestand: 27992

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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AS7C1026C-15JIN

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Teilbestand: 28991

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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AS7C31026C-12JIN

AS7C31026C-12JIN

Teilbestand: 29937

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Asynchronous, Speichergröße: 1Mb (64K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

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