Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

HTNFET-D

Teilbestand: 199

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Wunschzettel

Honeywell Aerospace

HTNFET-T

Teilbestand: 199

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Wunschzettel

Honeywell Aerospace

HTNFET-TC

Teilbestand: 211

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Wunschzettel

Honeywell Aerospace

HTNFET-DC

Teilbestand: 199

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 100mA, 5V,

Wunschzettel