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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Erinnerung

71V30S55TFG
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V30S55TFG

Teilbestand: 7817

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 8Kb (1K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel
71V3557S75PFGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V3557S75PFGI

Teilbestand: 4739

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous ZBT, Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36),

Wunschzettel
71V3557S75PFGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V3557S75PFGI8

Teilbestand: 4708

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous ZBT, Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36),

Wunschzettel
71V3557S75BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V3557S75BGI

Teilbestand: 4601

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous ZBT, Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36),

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71V35761SA200BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V35761SA200BQG

Teilbestand: 7831

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Synchronous, Speichergröße: 4.5Mb (128K x 36), Taktfrequenz: 200MHz,

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71V321S55TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S55TF8

Teilbestand: 10049

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

Wunschzettel
71V321S55TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S55TF

Teilbestand: 8023

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321S55PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S55PF8

Teilbestand: 9750

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321S55PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S55PF

Teilbestand: 8034

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S55J8

Teilbestand: 10747

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S55J

Teilbestand: 9268

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321S35TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S35TF8

Teilbestand: 7441

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321S35PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S35PF

Teilbestand: 5793

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321S35TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S35TF

Teilbestand: 5722

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321S35PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S35PF8

Teilbestand: 7192

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S35J8

Teilbestand: 8200

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S35J

Teilbestand: 6848

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321S25TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S25TF8

Teilbestand: 6571

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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71V321S25PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S25PF8

Teilbestand: 6264

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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71V321S25TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S25TF

Teilbestand: 5014

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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71V321S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S25J8

Teilbestand: 7282

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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71V321S25PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S25PF

Teilbestand: 5017

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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71V321S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321S25J

Teilbestand: 6053

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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71V321L55TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L55TF8

Teilbestand: 9116

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321L55TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L55TF

Teilbestand: 7340

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321L55PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L55PF8

Teilbestand: 8897

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321L55PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L55PF

Teilbestand: 7228

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321L55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L55J8

Teilbestand: 9750

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

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71V321L35TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L35TF8

Teilbestand: 6773

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321L35PF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L35PF8

Teilbestand: 6564

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321L35TF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L35TF

Teilbestand: 5208

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321L35PF
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L35PF

Teilbestand: 5250

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L35J8

Teilbestand: 7475

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 35ns,

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71V321L25TF8
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L25TF8

Teilbestand: 5705

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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71V321L25TFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L25TFI

Teilbestand: 4064

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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71V321L25PFI
IDT, Integrated Device Technology Inc

71V321L25PFI

Teilbestand: 4210

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: SRAM, Technologie: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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