Eingebettet - FPGAs (Field Programmable Gate Array

10AX066H4F34I3SGES

10AX066H4F34I3SGES

Teilbestand: 1640

Anzahl LABs/CLBs: 250540, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 660000, Gesamt-RAM-Bits: 49610752, Anzahl der E/A: 492, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX066H3F34I2SGES

10AX066H3F34I2SGES

Teilbestand: 1650

Anzahl LABs/CLBs: 250540, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 660000, Gesamt-RAM-Bits: 49610752, Anzahl der E/A: 492, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115U4F45E3SGES

10AT115U4F45E3SGES

Teilbestand: 1639

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 624, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115N4F40E3SGES

10AT115N4F40E3SGES

Teilbestand: 1640

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115N3F40E2SGES

10AT115N3F40E2SGES

Teilbestand: 1586

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10M08DAU324C8GES

10M08DAU324C8GES

Teilbestand: 1550

Anzahl LABs/CLBs: 500, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 8000, Gesamt-RAM-Bits: 387072, Anzahl der E/A: 246, Spannungsversorgung: 1.15V ~ 1.25V,

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10M08DAF256C8GES

10M08DAF256C8GES

Teilbestand: 1579

Anzahl LABs/CLBs: 500, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 8000, Gesamt-RAM-Bits: 387072, Anzahl der E/A: 178, Spannungsversorgung: 1.15V ~ 1.25V,

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10AX115S1F45I2SGES

10AX115S1F45I2SGES

Teilbestand: 1561

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 624, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115U1F45I2SGES

10AX115U1F45I2SGES

Teilbestand: 1575

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 480, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115U3F45I3SGES

10AX115U3F45I3SGES

Teilbestand: 1510

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 480, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115U2F45I2SGES

10AX115U2F45I2SGES

Teilbestand: 4148

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 480, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.98V,

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10AX115S3F45I3SGES

10AX115S3F45I3SGES

Teilbestand: 1569

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 624, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115S4F45I4SGES

10AX115S4F45I4SGES

Teilbestand: 1501

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 624, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115S2F45I2SGES

10AX115S2F45I2SGES

Teilbestand: 1457

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 624, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.98V,

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10AX115R4F40I4SGES

10AX115R4F40I4SGES

Teilbestand: 1496

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 342, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115N4F40I4SGES

10AX115N4F40I4SGES

Teilbestand: 4146

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115R2F40I2SGES

10AX115R2F40I2SGES

Teilbestand: 1451

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 342, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.98V,

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10AX115N3F40I3SGES

10AX115N3F40I3SGES

Teilbestand: 4184

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115N2F40I2SGES

10AX115N2F40I2SGES

Teilbestand: 1488

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.98V,

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10AX066K4F35I4SGES

10AX066K4F35I4SGES

Teilbestand: 1486

Anzahl LABs/CLBs: 250540, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 660000, Gesamt-RAM-Bits: 49610752, Anzahl der E/A: 396, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115N1F40I2SGES

10AX115N1F40I2SGES

Teilbestand: 1418

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX066K3F35I3SGES

10AX066K3F35I3SGES

Teilbestand: 1392

Anzahl LABs/CLBs: 250540, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 660000, Gesamt-RAM-Bits: 49610752, Anzahl der E/A: 396, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX066H4F34I4SGES

10AX066H4F34I4SGES

Teilbestand: 1389

Anzahl LABs/CLBs: 250540, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 660000, Gesamt-RAM-Bits: 49610752, Anzahl der E/A: 492, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX066K2F35I2SGES

10AX066K2F35I2SGES

Teilbestand: 1416

Anzahl LABs/CLBs: 250540, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 660000, Gesamt-RAM-Bits: 49610752, Anzahl der E/A: 396, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.98V,

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10CL016YU256I7G

10CL016YU256I7G

Teilbestand: 3992

Anzahl LABs/CLBs: 963, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 15408, Gesamt-RAM-Bits: 516096, Anzahl der E/A: 162, Spannungsversorgung: 1.2V,

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10CL016ZU256I8G

10CL016ZU256I8G

Teilbestand: 706

Anzahl LABs/CLBs: 963, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 15408, Gesamt-RAM-Bits: 516096, Anzahl der E/A: 162, Spannungsversorgung: 1.2V,

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10AX066H2F34I2SGES

10AX066H2F34I2SGES

Teilbestand: 1355

Anzahl LABs/CLBs: 250540, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 660000, Gesamt-RAM-Bits: 49610752, Anzahl der E/A: 492, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.98V,

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10AX066H3F34I3SGES

10AX066H3F34I3SGES

Teilbestand: 4171

Anzahl LABs/CLBs: 250540, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 660000, Gesamt-RAM-Bits: 49610752, Anzahl der E/A: 492, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115U3F45E3SGES

10AT115U3F45E3SGES

Teilbestand: 1390

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 624, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115U4F45E4SGES

10AT115U4F45E4SGES

Teilbestand: 1335

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 624, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115U2F45E2SGES

10AT115U2F45E2SGES

Teilbestand: 1320

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 624, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115N3F40E3SGES

10AT115N3F40E3SGES

Teilbestand: 1296

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115N4F40E4SGES

10AT115N4F40E4SGES

Teilbestand: 1319

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AT115N2F40E2SGES

10AT115N2F40E2SGES

Teilbestand: 1326

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 600, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10AX115U4F45I4SGES

10AX115U4F45I4SGES

Teilbestand: 1273

Anzahl LABs/CLBs: 427200, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 1150000, Gesamt-RAM-Bits: 68857856, Anzahl der E/A: 480, Spannungsversorgung: 0.87V ~ 0.93V,

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10M04SAU169I7G

10M04SAU169I7G

Teilbestand: 4035

Anzahl LABs/CLBs: 250, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 4000, Gesamt-RAM-Bits: 193536, Anzahl der E/A: 130, Spannungsversorgung: 2.85V ~ 3.465V,

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