Teilbestand: 224
FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,