Menu
DeutschDeutsch
RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

  • Zuhause
  •  
  • Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
IXTH36N20T
IXYS

IXTH36N20T

Teilbestand: 25576

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc),

Wunschzettel
IXTA36N20T
IXYS

IXTA36N20T

Teilbestand: 28387

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc),

Wunschzettel
IXTA98N075T7
IXYS

IXTA98N075T7

Teilbestand: 34194

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 98A (Tc),

Wunschzettel
IXKP10N60C5
IXYS

IXKP10N60C5

Teilbestand: 25791

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wunschzettel
IXTA15P15T
IXYS

IXTA15P15T

Teilbestand: 29566

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel
IXTA300N04T2-7
IXYS

IXTA300N04T2-7

Teilbestand: 16176

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel
IXTP44N25T
IXYS

IXTP44N25T

Teilbestand: 28114

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 44A (Tc),

Wunschzettel
IXKP13N60C5M
IXYS

IXKP13N60C5M

Teilbestand: 21784

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wunschzettel
IXTP44N15T
IXYS

IXTP44N15T

Teilbestand: 33977

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 44A (Tc),

Wunschzettel
IXTH44N30T
IXYS

IXTH44N30T

Teilbestand: 18194

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 44A (Tc),

Wunschzettel
IXTQ160N10T
IXYS

IXTQ160N10T

Teilbestand: 21652

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel
IXFP12N50PM
IXYS

IXFP12N50PM

Teilbestand: 29681

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel
IXTA8N50P
IXYS

IXTA8N50P

Teilbestand: 26372

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 4A, 10V,

Wunschzettel
IXTQ54N30T
IXYS

IXTQ54N30T

Teilbestand: 16793

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 54A (Tc),

Wunschzettel
IXTQ14N60P
IXYS

IXTQ14N60P

Teilbestand: 21983

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 7A, 10V,

Wunschzettel
IXTA2N100
IXYS

IXTA2N100

Teilbestand: 20012

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel
IXTA2N80
IXYS

IXTA2N80

Teilbestand: 21299

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.2 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
IXTH16P20
IXYS

IXTH16P20

Teilbestand: 17700

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
IXTH48N20T
IXYS

IXTH48N20T

Teilbestand: 22543

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc),

Wunschzettel
IXTP1N80
IXYS

IXTP1N80

Teilbestand: 26916

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 750mA (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
IXTP12N50PM
IXYS

IXTP12N50PM

Teilbestand: 28021

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel
IXKP13N60C5
IXYS

IXKP13N60C5

Teilbestand: 21965

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wunschzettel
IXFP130N10T
IXYS

IXFP130N10T

Teilbestand: 26089

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.1 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel
IXTQ56N15T
IXYS

IXTQ56N15T

Teilbestand: 27551

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc),

Wunschzettel
IXKP20N60C5
IXYS

IXKP20N60C5

Teilbestand: 15855

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
IXTP36N30T
IXYS

IXTP36N30T

Teilbestand: 28068

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
IXFA16N50P
IXYS

IXFA16N50P

Teilbestand: 22546

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 8A, 10V,

Wunschzettel
IXTA36N30T
IXYS

IXTA36N30T

Teilbestand: 27008

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
IXTY2N100P
IXYS

IXTY2N100P

Teilbestand: 30758

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
IXTP110N055P
IXYS

IXTP110N055P

Teilbestand: 24755

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
IXTA10N60P
IXYS

IXTA10N60P

Teilbestand: 27251

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 740 mOhm @ 5A, 10V,

Wunschzettel
IXTH90N15T
IXYS

IXTH90N15T

Teilbestand: 18231

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 45A, 10V,

Wunschzettel
IXTQ44N30T
IXYS

IXTQ44N30T

Teilbestand: 18958

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 44A (Tc),

Wunschzettel
IXTA27N20T
IXYS

IXTA27N20T

Teilbestand: 33120

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc),

Wunschzettel
IXTP38N15T
IXYS

IXTP38N15T

Teilbestand: 34896

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Tc),

Wunschzettel
IXTA56N15T
IXYS

IXTA56N15T

Teilbestand: 28394

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 28A, 10V,

Wunschzettel