Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

CPC3902ZTR

Teilbestand: 131537

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

Teilbestand: 108608

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

Teilbestand: 173406

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

Teilbestand: 110408

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

Teilbestand: 127604

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

Teilbestand: 180680

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

Teilbestand: 173441

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

Teilbestand: 1443

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

Teilbestand: 126520

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

Teilbestand: 1407

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

Teilbestand: 1380

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

Teilbestand: 198190

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

Teilbestand: 1385

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

Teilbestand: 6160

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

Teilbestand: 67206

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 415V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): -0.35V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

Teilbestand: 335

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 360mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

Teilbestand: 103573

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 360mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

Teilbestand: 127786

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): -0.35V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

Teilbestand: 107138

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): -0.35V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

Teilbestand: 185051

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): -0.35V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

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