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Dioden - Gleichrichter - Arrays

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SS275TI12205
IXYS-RF

SS275TI12205

Teilbestand: 747

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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SS150TC60110
IXYS-RF

SS150TC60110

Teilbestand: 709

Diodenkonfiguration: 3 Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

Wunschzettel
SS150TA60110
IXYS-RF

SS150TA60110

Teilbestand: 733

Diodenkonfiguration: 3 Common Anode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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SS275TA12205
IXYS-RF

SS275TA12205

Teilbestand: 711

Diodenkonfiguration: 3 Common Anode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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SS275TC12205
IXYS-RF

SS275TC12205

Teilbestand: 751

Diodenkonfiguration: 3 Common Cathode, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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SS150TI60110
IXYS-RF

SS150TI60110

Teilbestand: 671

Diodenkonfiguration: 3 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 10A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 5A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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