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RFQs / Order.
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Eingebettet - FPGAs (Field Programmable Gate Array

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LFE2M70E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-7FN1152C

Teilbestand: 311

Anzahl LABs/CLBs: 8375, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 67000, Gesamt-RAM-Bits: 4642816, Anzahl der E/A: 436, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152C

Teilbestand: 198

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFSC3GA25E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-6FN900I

Teilbestand: 310

Anzahl LABs/CLBs: 6250, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 25000, Gesamt-RAM-Bits: 1966080, Anzahl der E/A: 378, Spannungsversorgung: 0.95V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-6LFN1156I

Teilbestand: 306

Anzahl LABs/CLBs: 18625, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 149000, Gesamt-RAM-Bits: 7014400, Anzahl der E/A: 586, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152C

Teilbestand: 219

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN1152I

Teilbestand: 242

Anzahl LABs/CLBs: 8375, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 67000, Gesamt-RAM-Bits: 4642816, Anzahl der E/A: 436, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFSCM3GA25EP1-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900C

Teilbestand: 340

Anzahl LABs/CLBs: 6250, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 25000, Gesamt-RAM-Bits: 1966080, Anzahl der E/A: 378, Spannungsversorgung: 0.95V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFSCM3GA25EP1-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-5FN900I

Teilbestand: 301

Anzahl LABs/CLBs: 6250, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 25000, Gesamt-RAM-Bits: 1966080, Anzahl der E/A: 378, Spannungsversorgung: 0.95V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M70E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-7FN900C

Teilbestand: 281

Anzahl LABs/CLBs: 8375, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 67000, Gesamt-RAM-Bits: 4642816, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M70SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN1152I

Teilbestand: 298

Anzahl LABs/CLBs: 8375, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 67000, Gesamt-RAM-Bits: 4642816, Anzahl der E/A: 436, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900I

Teilbestand: 201

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN900C

Teilbestand: 230

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152I

Teilbestand: 165

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFSCM3GA25EP1-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-6FN900I

Teilbestand: 262

Anzahl LABs/CLBs: 6250, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 25000, Gesamt-RAM-Bits: 1966080, Anzahl der E/A: 378, Spannungsversorgung: 0.95V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFSCM3GA25EP1-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSCM3GA25EP1-7FN900C

Teilbestand: 300

Anzahl LABs/CLBs: 6250, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 25000, Gesamt-RAM-Bits: 1966080, Anzahl der E/A: 378, Spannungsversorgung: 0.95V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFSC3GA25E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFSC3GA25E-7FN900C

Teilbestand: 266

Anzahl LABs/CLBs: 6250, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 25000, Gesamt-RAM-Bits: 1966080, Anzahl der E/A: 378, Spannungsversorgung: 0.95V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900C

Teilbestand: 230

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-5FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN1152I

Teilbestand: 186

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M70SE-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN1152C

Teilbestand: 278

Anzahl LABs/CLBs: 8375, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 67000, Gesamt-RAM-Bits: 4642816, Anzahl der E/A: 436, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN900C

Teilbestand: 226

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152C

Teilbestand: 196

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70E-6FN900I

Teilbestand: 265

Anzahl LABs/CLBs: 8375, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 67000, Gesamt-RAM-Bits: 4642816, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN1152I

Teilbestand: 219

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-6FN900I

Teilbestand: 356

Anzahl LABs/CLBs: 8375, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 67000, Gesamt-RAM-Bits: 4642816, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE3-150EA-8LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156I

Teilbestand: 282

Anzahl LABs/CLBs: 18625, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 149000, Gesamt-RAM-Bits: 7014400, Anzahl der E/A: 586, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900C

Teilbestand: 249

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN900I

Teilbestand: 191

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-5FN900I

Teilbestand: 274

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-6FN1152I

Teilbestand: 153

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-5FN1152C

Teilbestand: 205

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100SE-7FN900C

Teilbestand: 242

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE3-150EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-7LFN1156I

Teilbestand: 236

Anzahl LABs/CLBs: 18625, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 149000, Gesamt-RAM-Bits: 7014400, Anzahl der E/A: 586, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M70SE-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M70SE-7FN900C

Teilbestand: 311

Anzahl LABs/CLBs: 8375, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 67000, Gesamt-RAM-Bits: 4642816, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE3-150EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-150EA-8LFN1156C

Teilbestand: 364

Anzahl LABs/CLBs: 18625, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 149000, Gesamt-RAM-Bits: 7014400, Anzahl der E/A: 586, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-6FN900I

Teilbestand: 172

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 416, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

Wunschzettel
LFE2M100E-7FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M100E-7FN1152C

Teilbestand: 136

Anzahl LABs/CLBs: 11875, Anzahl der Logikelemente/Zellen: 95000, Gesamt-RAM-Bits: 5435392, Anzahl der E/A: 520, Spannungsversorgung: 1.14V ~ 1.26V,

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