Erfassungsabstand: 0.2" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.125" (3.18mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
Erfassungsabstand: 0.168" (4.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodiode,
Erfassungsabstand: 0.168" (4.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,
