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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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LSIC1MO120E0080
Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0080

Teilbestand: 1259

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 39A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 20A, 20V,

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LSIC1MO120E0160
Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0160

Teilbestand: 1034

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 10A, 20V,

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LSIC1MO120E0120
Littelfuse Inc.

LSIC1MO120E0120

Teilbestand: 1693

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 20V,

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