Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

JANTXV2N6678

Teilbestand: 279

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V,

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M/A-Com Technology Solutions

JANTXV2N6287

Teilbestand: 791

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 40mA, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V,

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M/A-Com Technology Solutions

JANTXV2N3716

Teilbestand: 1086

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 2V,

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M/A-Com Technology Solutions

JANTX2N5339

Teilbestand: 5997

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V,

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