Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

2N7002V-TP

2N7002V-TP

Teilbestand: 2647

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 280mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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2N7002DW-TP

2N7002DW-TP

Teilbestand: 196767

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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MCCD2005-TP

MCCD2005-TP

Teilbestand: 159326

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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MCMNP517-TP

MCMNP517-TP

Teilbestand: 151419

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, 4.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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MCQ4559-TP

MCQ4559-TP

Teilbestand: 163911

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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MCCD2004-TP

MCCD2004-TP

Teilbestand: 153498

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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MCQ4503-TP

MCQ4503-TP

Teilbestand: 124864

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.3A, 8.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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MCCD2007-TP

MCCD2007-TP

Teilbestand: 117884

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SIL2623-TP

SIL2623-TP

Teilbestand: 2508

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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