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RFQs / Order.
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Erinnerung

MT28F800B3WG-9 B
Micron Technology Inc.

MT28F800B3WG-9 B

Teilbestand: 3459

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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MT29F2G08ABCWP:C TR
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABCWP:C TR

Teilbestand: 4969

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Gb (256M x 8),

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MT46V64M8BN-75 L:D
Micron Technology Inc.

MT46V64M8BN-75 L:D

Teilbestand: 7676

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC4M32B2B5-7 IT:G
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32B2B5-7 IT:G

Teilbestand: 4117

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT28F800B5SG-8 TET TR
Micron Technology Inc.

MT28F800B5SG-8 TET TR

Teilbestand: 4252

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT48LC32M16A2P-75 L:C TR
Micron Technology Inc.

MT48LC32M16A2P-75 L:C TR

Teilbestand: 78

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC8M16A2P-6A:G
Micron Technology Inc.

MT48LC8M16A2P-6A:G

Teilbestand: 1621

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

Wunschzettel
MT28F400B3WG-8 B TR
Micron Technology Inc.

MT28F400B3WG-8 B TR

Teilbestand: 2814

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT28F004B3VG-8 BET TR
Micron Technology Inc.

MT28F004B3VG-8 BET TR

Teilbestand: 1663

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT28F800B5SG-8 B
Micron Technology Inc.

MT28F800B5SG-8 B

Teilbestand: 4052

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT28F008B5VG-8 TET
Micron Technology Inc.

MT28F008B5VG-8 TET

Teilbestand: 2243

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT48H8M32LFF5-10 IT
Micron Technology Inc.

MT48H8M32LFF5-10 IT

Teilbestand: 9287

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 256Mb (8M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT45W1MW16BAFB-706 WT TR
Micron Technology Inc.

MT45W1MW16BAFB-706 WT TR

Teilbestand: 3496

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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MT46V16M16TG-5G:F
Micron Technology Inc.

MT46V16M16TG-5G:F

Teilbestand: 5725

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT28F004B5VG-8 BET
Micron Technology Inc.

MT28F004B5VG-8 BET

Teilbestand: 1906

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT46V32M4TG-75:D
Micron Technology Inc.

MT46V32M4TG-75:D

Teilbestand: 7051

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (32M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT48LC8M16LFF4-75 IT:G TR
Micron Technology Inc.

MT48LC8M16LFF4-75 IT:G TR

Teilbestand: 2068

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT45W4MW16PFA-70 IT
Micron Technology Inc.

MT45W4MW16PFA-70 IT

Teilbestand: 5108

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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M29W800DB70N6E
Micron Technology Inc.

M29W800DB70N6E

Teilbestand: 46659

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

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MT28F800B3SG-9 T
Micron Technology Inc.

MT28F800B3SG-9 T

Teilbestand: 3908

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 90ns,

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MT47H32M16CC-5E:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H32M16CC-5E:B TR

Teilbestand: 8486

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT46V64M8TG-75Z:D
Micron Technology Inc.

MT46V64M8TG-75Z:D

Teilbestand: 8183

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT46V128M4FN-75:D TR
Micron Technology Inc.

MT46V128M4FN-75:D TR

Teilbestand: 5430

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (128M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT45W1MW16BAFB-856 WT
Micron Technology Inc.

MT45W1MW16BAFB-856 WT

Teilbestand: 4480

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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MT46V64M8P-75 IT:D TR
Micron Technology Inc.

MT46V64M8P-75 IT:D TR

Teilbestand: 8004

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

Wunschzettel
MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR
Micron Technology Inc.

MT48LC64M8A2P-75 IT:C TR

Teilbestand: 94

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT45W1MW16PAFA-85 WT
Micron Technology Inc.

MT45W1MW16PAFA-85 WT

Teilbestand: 4655

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns,

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MT48LC4M32B2TG-7:G
Micron Technology Inc.

MT48LC4M32B2TG-7:G

Teilbestand: 991

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT28F640J3FS-115 GMET TR
Micron Technology Inc.

MT28F640J3FS-115 GMET TR

Teilbestand: 3684

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

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MT48V4M32LFB5-10:G
Micron Technology Inc.

MT48V4M32LFB5-10:G

Teilbestand: 4306

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 100MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT47H256M4BT-37E:A
Micron Technology Inc.

MT47H256M4BT-37E:A

Teilbestand: 8424

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 1Gb (256M x 4), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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MT28F004B3VG-8 TET
Micron Technology Inc.

MT28F004B3VG-8 TET

Teilbestand: 1638

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

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MT48LC16M4A2P-7E:G
Micron Technology Inc.

MT48LC16M4A2P-7E:G

Teilbestand: 9643

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 64Mb (16M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT28F004B3VG-8 B
Micron Technology Inc.

MT28F004B3VG-8 B

Teilbestand: 1637

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 80ns,

Wunschzettel
MT48LC64M4A2P-7E:D
Micron Technology Inc.

MT48LC64M4A2P-7E:D

Teilbestand: 1399

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (64M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

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MT47H32M16CC-37E:B TR
Micron Technology Inc.

MT47H32M16CC-37E:B TR

Teilbestand: 8509

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 267MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

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