Erinnerung

MT48LC16M8A2P-75:GTR

Teilbestand: 9247

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28F640J3RG-115 ET TR

Teilbestand: 95

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH, Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

Teilbestand: 89

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 32Gb (512M x 64), Taktfrequenz: 1866MHz,

MTFC128GAJAECE-AIT TR

Teilbestand: 102

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 1Tb (128G x 8),

MT29F4G08BABWP-ET

Teilbestand: 6156

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8),

MT48LC8M16A2P-7E:G TR

Teilbestand: 1954

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

MT29TZZZAD8DKKBT-107 W.9F8 TR

Teilbestand: 2438

MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D

Teilbestand: 106

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 32Gb (1G x 32), Taktfrequenz: 1866MHz,

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

Teilbestand: 1061

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Gb (64G x 8), Taktfrequenz: 167MHz,

MT46V16M8P-6T:DTR

Teilbestand: 9038

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC16M16A2TG-75:D TR

Teilbestand: 2136

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V64M8P-6T:F

Teilbestand: 8238

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MTFC64GAJAEDN-AIT TR

Teilbestand: 989

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Gb (64G x 8),

MT48LC16M8A2P-75IT:GTR

Teilbestand: 9228

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

TE28F160B3TD70A

Teilbestand: 1710

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - Boot Block, Speichergröße: 16Mb (1M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

MT46V64M8FN-5B:D TR

Teilbestand: 715

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR

Teilbestand: 9510

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 143MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

MT44K64M18RB-093E:A

Teilbestand: 130

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: DRAM, Speichergröße: 1.125Gb (64Mb x 18), Taktfrequenz: 1067MHz,

MT46V32M8BG-6 IT:G TR

Teilbestand: 7889

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT28HL32GQBB3ERK-0GCT TR

Teilbestand: 40

MT47H64M8CB-5E IT:B TR

Teilbestand: 8630

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V64M8P-6T IT:F

Teilbestand: 8215

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V32M8P-6TL:GTR

Teilbestand: 9113

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

M29F400BT70N6

Teilbestand: 966

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

MT48LC16M16A2TG-7E:D TR

Teilbestand: 1217

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns,

MT46V256M4P-75:A

Teilbestand: 7067

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 1Gb (256M x 4), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46H8M16LFCF-75

Teilbestand: 6471

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR, Speichergröße: 128Mb (8M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V32M16P-5B:F

Teilbestand: 7195

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT46V128M4TG-5B:F

Teilbestand: 6653

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR, Speichergröße: 512Mb (128M x 4), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MTFC64GAJAECE-AIT

Teilbestand: 54

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Gb (64G x 8),

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

Teilbestand: 675

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 128Gb (16G x 8), Taktfrequenz: 100MHz,

MT48LC4M32B2TG-6:G TR

Teilbestand: 1815

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 128Mb (4M x 32), Taktfrequenz: 167MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns,

MT47H32M16CC-5E IT:B

Teilbestand: 8433

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 200MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT48LC32M8A2P-75:D TR

Teilbestand: 9490

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT45W4MW16BCGB-708 WT

Teilbestand: 6389

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: PSRAM, Technologie: PSRAM (Pseudo SRAM), Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

MT48LC32M16A2TG-75:C TR

Teilbestand: 1353

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM, Speichergröße: 512Mb (32M x 16), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,