Erinnerung

MT29C1G12MAAJVAMD-5 IT

Teilbestand: 1049

MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D TR

Teilbestand: 3329

MT49H32M9SJ-25:B

Teilbestand: 3253

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: DRAM, Speichergröße: 288Mb (32M x 9), Taktfrequenz: 400MHz,

MTFC16GAKAEEF-AIT TR

Teilbestand: 4301

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 128Gb (16G x 8),

MT53D8DBWF-DC

Teilbestand: 2337

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT29F1G01ABAFDM78A3WC1

Teilbestand: 4274

MT35XU512ABA1G12-0AAT TR

Teilbestand: 3693

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8), Taktfrequenz: 200MHz,

MT29F128G08CECGBJ4-37R:G TR

Teilbestand: 839

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 128Gb (16G x 8),

MT25QU02GCBB8E12-0SIT

Teilbestand: 1136

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 2.8ms,

MTFC32GAPALNA-AIT ES TR

Teilbestand: 417

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Gb (32G x 8),

MT53D1G64D8NW-062 WT:D TR

Teilbestand: 2807

MT53D1G64D8NZ-046 WT ES:E

Teilbestand: 6014

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 64Gb (1G x 64), Taktfrequenz: 2133MHz,

MT49H8M36SJ-25:B TR

Teilbestand: 3271

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: DRAM, Speichergröße: 288Mb (8M x 36), Taktfrequenz: 400MHz,

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A

Teilbestand: 5297

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Gb (32G x 8), Taktfrequenz: 333MHz,

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

Teilbestand: 2669

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 12Gb (384M x 32), Taktfrequenz: 1600MHz,

MT35XU256ABA2G12-0AAT

Teilbestand: 1309

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 200MHz,

MT53D1024M32D4BD-053 WT ES:D

Teilbestand: 5995

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 32Gb (1G x 32), Taktfrequenz: 1866MHz,

MTFC8GAMALNA-AIT TR

Teilbestand: 2995

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 64Gb (8G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D

Teilbestand: 2246

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 16Gb (512M x 32), Taktfrequenz: 2133MHz,

MT53B2G32D8QD-062 WT ES:D

Teilbestand: 1546

MT53B256M32D1Z91MWC1

Teilbestand: 8232

MT53B512M64D4PV-053 WT ES:C

Teilbestand: 1848

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 32Gb (512M x 64), Taktfrequenz: 1866MHz,

MT29F256G08EBHAFB16A3WTA

Teilbestand: 8035

MTFC32GAKAEJP-AIT TR

Teilbestand: 2945

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GAMAKAM-WT ES

Teilbestand: 2467

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Gb (32G x 8),

MTFC32GAKAEJP-AIT

Teilbestand: 2491

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Gb (32G x 8),

MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E

Teilbestand: 6089

MTFC64GAPALNA-AAT

Teilbestand: 3772

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E

Teilbestand: 6741

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 32Gb (512M x 64), Taktfrequenz: 2133MHz,

MTFC16GAKAEDQ-AIT TR

Teilbestand: 38

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 128Gb (16G x 8),

ECF620AAACN-C1-Y3

Teilbestand: 7859

MT28EW512ABA1HPC-1SIT TR

Teilbestand: 4825

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

MT53B4DCNY-DC

Teilbestand: 5894

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4,

ECF440AACCN-P2-Y3

Teilbestand: 4092

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F

Teilbestand: 5421

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 4Gb (512M x 8),

MT53D4D1ASQ-DC

Teilbestand: 6247