Erinnerung

M25PX80-VMP6TGT0 TR

Teilbestand: 5019

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 8Mb (1M x 8), Taktfrequenz: 75MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ms, 5ms,

M25P16-V6D11

Teilbestand: 45576

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (2M x 8), Taktfrequenz: 75MHz,

EDFP112A3PB-GDTJ-F-R

Teilbestand: 9669

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR3, Speichergröße: 24Gb (192M x 128), Taktfrequenz: 800MHz,

MT25TL256HAA1ESF-0AAT TR

Teilbestand: 6954

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 2.8ms,

MT29F2G16ABBFAH4:F

Teilbestand: 1513

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Gb (128M x 16),

MT29F256G08EFEBBWP:B

Teilbestand: 6594

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 256Gb (32G x 8),

N25Q032A13EV741

Teilbestand: 40743

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (8M x 4), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 5ms,

N25Q128A11E1240F TR

Teilbestand: 32880

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (32M x 4), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 5ms,

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B.001

Teilbestand: 6576

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Gb (64G x 8), Taktfrequenz: 167MHz,

JS28F256J3F1058 TR

Teilbestand: 4613

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 105ns,

MT29F512G08CMCCBH7-6ITR:C

Teilbestand: 928

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Gb (64G x 8), Taktfrequenz: 166MHz,

MTFC64GAKAEEY-4M IT

Teilbestand: 1105

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 512Gb (64G x 8),

MT29F2G08ABAFAH4-IT:F

Teilbestand: 1479

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 2Gb (256M x 8),

MT25QU128ABA1EW9-0SIT

Teilbestand: 37114

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 2.8ms,

MT25QU128ABA8E12-1SIT

Teilbestand: 27994

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (16M x 8), Taktfrequenz: 133MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 2.8ms,

MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

Teilbestand: 4145

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4, Speichergröße: 8Gb (256M x 32), Taktfrequenz: 1600MHz,

MT28EW512ABA1HJS-0SIT

Teilbestand: 14301

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

MT40A1G8WE-083E AIT:B TR

Teilbestand: 3166

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR4, Speichergröße: 8Gb (1G x 8), Taktfrequenz: 1.2GHz,

MT40A2G4SA-075:E TR

Teilbestand: 113

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR4, Speichergröße: 8Gb (2G x 4), Taktfrequenz: 1.33GHz,

N25Q032A13EV7A0

Teilbestand: 8152

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (8M x 4), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 5ms,

M58BW16FB5ZA3F

Teilbestand: 7034

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 16Mb (512K x 32), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns,

MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR

Teilbestand: 119

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 64Gb (8G x 8),

MT28EW01GABA1HJS-0SIT

Teilbestand: 10198

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 60ns,

MTFC4GACAJCN-4M IT

Teilbestand: 7283

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND, Speichergröße: 32Gb (4G x 8),

MT47H256M8EB-3:C

Teilbestand: 4948

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR2, Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 333MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns,

MT40A2G4WE-075E:B TR

Teilbestand: 2773

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR4, Speichergröße: 8Gb (2G x 4), Taktfrequenz: 1.33GHz,

MT38W201DAA033JZZI.X68

Teilbestand: 9683

M25P32-VMW3GB

Teilbestand: 7048

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (4M x 8), Taktfrequenz: 75MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ms, 5ms,

N25Q064A13E5340F TR

Teilbestand: 51675

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (16M x 4), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 5ms,

N25Q032A13E1241F TR

Teilbestand: 56823

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 32Mb (8M x 4), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 5ms,

MT28GU01GAAA2EGC-0SIT

Teilbestand: 9060

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 1Gb (64M x 16), Taktfrequenz: 133MHz,

MT40A512M8RH-075E AIT:B TR

Teilbestand: 5456

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR4, Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Taktfrequenz: 1.33GHz,

M58WR064KU70D16

Teilbestand: 8387

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 64Mb (4M x 16), Taktfrequenz: 66MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

PC28F256P30T2E

Teilbestand: 17479

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 256Mb (16M x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

MT40A2G4WE-083E:B TR

Teilbestand: 3313

Speichertyp: Volatile, Speicherformat: DRAM, Technologie: SDRAM - DDR4, Speichergröße: 8Gb (2G x 4), Taktfrequenz: 1.2GHz,

N25Q128A31EF840F TR

Teilbestand: 8747

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NOR, Speichergröße: 128Mb (32M x 4), Taktfrequenz: 108MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 8ms, 5ms,