Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

LN60A01ES-LF-Z

Teilbestand: 135897

FET-Typ: 3 N-Channel, Common Gate, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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Monolithic Power Systems Inc.

LN60A01EP-LF

Teilbestand: 56695

FET-Typ: 3 N-Channel, Common Gate, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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Monolithic Power Systems Inc.

LN60A01ES-LF

Teilbestand: 77637

FET-Typ: 3 N-Channel, Common Gate, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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