Thyristoren - SCRs | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

2N5064,112

Teilbestand: 7650

Spannung - Aus-Zustand: 200V, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 800mV, Strom - Gate-Trigger (Igt) (Max): 200µA, Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (Max): 1.71V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 510mA, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 800mA,

Wunschzettel

NXP USA Inc.

BT169H,112

Teilbestand: 7800

Spannung - Aus-Zustand: 800V, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 800mV, Strom - Gate-Trigger (Igt) (Max): 100µA, Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (Max): 1.7V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 500mA, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 800mA,

Wunschzettel

NXP USA Inc.

BT149B,126

Teilbestand: 7813

Spannung - Aus-Zustand: 200V, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 800mV, Strom - Gate-Trigger (Igt) (Max): 200µA, Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (Max): 1.7V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 500mA, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 800mA,

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