Chipwiderstand - Oberflächenmontage -

LVK25R005DER

LVK25R005DER

Teilbestand: 74186

Widerstand: 5 mOhms, Toleranz: ±0.5%, Leistung (Watt): 2W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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HVC0805T5005JET

HVC0805T5005JET

Teilbestand: 67292

Widerstand: 50 MOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 0.125W, 1/8W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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FCSL110R050FER

FCSL110R050FER

Teilbestand: 74215

Widerstand: 50 mOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Metal Foil, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C,

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HVC1206T1005JET

HVC1206T1005JET

Teilbestand: 75253

Widerstand: 10 MOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 0.25W, 1/4W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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LVK12R033DER

LVK12R033DER

Teilbestand: 169158

Widerstand: 33 mOhms, Toleranz: ±0.5%, Leistung (Watt): 0.5W, 1/2W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C,

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EBWB-MR0002FET

EBWB-MR0002FET

Teilbestand: 83326

Widerstand: 200 µOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 7W, Komposition: Metal Element, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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HVC1206T5005JET

HVC1206T5005JET

Teilbestand: 75285

Widerstand: 50 MOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 0.25W, 1/4W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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FC4L64R010DER

FC4L64R010DER

Teilbestand: 80554

Widerstand: 10 mOhms, Toleranz: ±0.5%, Leistung (Watt): 2W, Komposition: Metal Foil, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C,

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HVC1206Z2505JET

HVC1206Z2505JET

Teilbestand: 75300

Widerstand: 25 MOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 0.25W, 1/4W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±250ppm/°C,

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EBWB-MR0005FET

EBWB-MR0005FET

Teilbestand: 83247

Widerstand: 500 µOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 6W, Komposition: Metal Element, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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FC4L64R050DER

FC4L64R050DER

Teilbestand: 80529

Widerstand: 50 mOhms, Toleranz: ±0.5%, Leistung (Watt): 2W, Komposition: Metal Foil, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C,

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EBWB-NR0010FET

EBWB-NR0010FET

Teilbestand: 83302

Widerstand: 1 mOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 6W, Komposition: Metal Element, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±120ppm/°C,

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FC4L64R020DER

FC4L64R020DER

Teilbestand: 80500

Widerstand: 20 mOhms, Toleranz: ±0.5%, Leistung (Watt): 2W, Komposition: Metal Foil, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C,

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HVC1206Z2504JET

HVC1206Z2504JET

Teilbestand: 75292

Widerstand: 2.5 MOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 0.25W, 1/4W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±250ppm/°C,

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FC4L64R015DER

FC4L64R015DER

Teilbestand: 80477

Widerstand: 15 mOhms, Toleranz: ±0.5%, Leistung (Watt): 2W, Komposition: Metal Foil, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C,

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HVC1206T1006JET

HVC1206T1006JET

Teilbestand: 75233

Widerstand: 100 MOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 0.25W, 1/4W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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FC4L64R030DER

FC4L64R030DER

Teilbestand: 80542

Widerstand: 30 mOhms, Toleranz: ±0.5%, Leistung (Watt): 2W, Komposition: Metal Foil, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C,

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HVC0603T1005FET

HVC0603T1005FET

Teilbestand: 83783

Widerstand: 10 MOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 0.1W, 1/10W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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RW5S0FA47R0JET

RW5S0FA47R0JET

Teilbestand: 81382

Widerstand: 47 Ohms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±20ppm/°C,

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RW5S0FA10K0JET

RW5S0FA10K0JET

Teilbestand: 81386

Widerstand: 10 kOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±20ppm/°C,

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HVC0603T2504FET

HVC0603T2504FET

Teilbestand: 83783

Widerstand: 2.5 MOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 0.1W, 1/10W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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RW5S0FA100RJET

RW5S0FA100RJET

Teilbestand: 81408

Widerstand: 100 Ohms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±20ppm/°C,

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RW5S0FA1K00JET

RW5S0FA1K00JET

Teilbestand: 81396

Widerstand: 1 kOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±20ppm/°C,

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RW5S0FA20R0JET

RW5S0FA20R0JET

Teilbestand: 81426

Widerstand: 20 Ohms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±20ppm/°C,

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RW5S0FA47R0JE

RW5S0FA47R0JE

Teilbestand: 81416

Widerstand: 47 Ohms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±20ppm/°C,

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RW5S0FA1R00FET

RW5S0FA1R00FET

Teilbestand: 81383

Widerstand: 1 Ohms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C,

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HVC0603T1004FET

HVC0603T1004FET

Teilbestand: 83740

Widerstand: 1 MOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 0.1W, 1/10W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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HVC0603T5004FET

HVC0603T5004FET

Teilbestand: 83752

Widerstand: 5 MOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 0.1W, 1/10W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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RW5S0FA10R0JET

RW5S0FA10R0JET

Teilbestand: 81404

Widerstand: 10 Ohms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±20ppm/°C,

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RW5S0FAR100FET

RW5S0FAR100FET

Teilbestand: 81448

Widerstand: 100 mOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±90ppm/°C,

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RW5S0FA4K70JET

RW5S0FA4K70JET

Teilbestand: 81453

Widerstand: 4.7 kOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 5W, Komposition: Wirewound, Temperaturkoeffizient: ±20ppm/°C,

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LVK25R001FER

LVK25R001FER

Teilbestand: 90945

Widerstand: 1 mOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 2W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: Anti-Corrosive, Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±300ppm/°C,

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EBWB-NR0020FET

EBWB-NR0020FET

Teilbestand: 92637

Widerstand: 2 mOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 4W, Komposition: Metal Element, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±120ppm/°C,

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LVC25FR075EV

LVC25FR075EV

Teilbestand: 85613

Widerstand: 75 mOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 1W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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LVC25FR033EV

LVC25FR033EV

Teilbestand: 81488

Widerstand: 33 mOhms, Toleranz: ±1%, Leistung (Watt): 1W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: Current Sense, Moisture Resistant, Temperaturkoeffizient: ±200ppm/°C,

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HVC0805T5004JET

HVC0805T5004JET

Teilbestand: 83820

Widerstand: 5 MOhms, Toleranz: ±5%, Leistung (Watt): 0.125W, 1/8W, Komposition: Thick Film, Eigenschaften: High Voltage, Temperaturkoeffizient: ±100ppm/°C,

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