Optische Sensoren - Reflektierend - Analogausgang

EE-SY193

EE-SY193

Teilbestand: 93365

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 18V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 25mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SF5-B

EE-SF5-B

Teilbestand: 8947

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY191

EE-SY191

Teilbestand: 2757

Erfassungsabstand: 0.178" (4.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY169A

EE-SY169A

Teilbestand: 5463

Erfassungsabstand: 0.157" (4mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY124

EE-SY124

Teilbestand: 2709

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY1200

EE-SY1200

Teilbestand: 48893

Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY201

EE-SY201

Teilbestand: 2779

Erfassungsabstand: 0.157" (4mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 24V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 15mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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EE-SY113

EE-SY113

Teilbestand: 12359

Erfassungsabstand: 0.173" (4.4mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY125

EE-SY125

Teilbestand: 2778

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY171

EE-SY171

Teilbestand: 18679

Erfassungsabstand: 0.138" (3.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY169

EE-SY169

Teilbestand: 3710

Erfassungsabstand: 0.157" (4mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY199

EE-SY199

Teilbestand: 22122

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY190

EE-SY190

Teilbestand: 4272

Erfassungsabstand: 0.178" (4.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SB5

EE-SB5

Teilbestand: 8233

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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Z4D-A01

Z4D-A01

Teilbestand: 4329

Erfassungsabstand: 0.256" (6.5mm), Erfassungsmethode: Reflective,

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EE-SB5-B

EE-SB5-B

Teilbestand: 10268

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SY110

EE-SY110

Teilbestand: 15782

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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EE-SF5

EE-SF5

Teilbestand: 2766

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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