Optische Sensoren – optoelektronisch, indust

E3T-FD12-M1TJ 0.3M

E3T-FD12-M1TJ 0.3M

Teilbestand: 461

Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 0.197" ~ 1.181" (5mm ~ 30mm) ADJ, Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector/Dark-ON, Verbindungsmethode: Connector,

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E3C-VS7R 10M

E3C-VS7R 10M

Teilbestand: 256

Erfassungsmethode: Reflective, Erfassungsabstand: 2.756" (70mm), Verbindungsmethode: Cable,

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E3Z-T61-G2SHW-CN

E3Z-T61-G2SHW-CN

Teilbestand: 375

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 15m, Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN, Verbindungsmethode: Cable,

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E3T-ST21M

E3T-ST21M

Teilbestand: 383

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 11.811" (300mm), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector/Light-ON, Verbindungsmethode: Cable,

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E3JK-R2M2 5M

E3JK-R2M2 5M

Teilbestand: 3873

Erfassungsmethode: Retroreflective, Polarized, Erfassungsabstand: 98.425" (2.5m), Spannungsversorgung: 12V ~ 240V, 24V ~ 240V, Reaktionszeit: 30ms, Ausgangskonfiguration: Relay - Dark-ON, Verbindungsmethode: Cable,

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MS46-IP67-785-S
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E3F2-DS30B41-M 5M

E3F2-DS30B41-M 5M

Teilbestand: 3926

Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 11.811" (300mm), Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 2.5ms, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Wire,

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E3Z-T81-G0SHW-CN

E3Z-T81-G0SHW-CN

Teilbestand: 430

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 15m, Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: PNP Transistor, Verbindungsmethode: Cable,

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E3T-ST12R

E3T-ST12R

Teilbestand: 431

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 39.370" (1m), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector/Dark-ON, Verbindungsmethode: Cable,

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E3Z-T81-G0SHW-M1

E3Z-T81-G0SHW-M1

Teilbestand: 307

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 15m, Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: PNP Transistor, Verbindungsmethode: Cable,

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E3F2-DS30B4-M1-M

E3F2-DS30B4-M1-M

Teilbestand: 4018

Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 11.811" (300mm), Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 2.5ms, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Connector,

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E3F2-10C4-M

E3F2-10C4-M

Teilbestand: 327

Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 2.5ms, Verbindungsmethode: Cable,

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E3F2-DS10B4-M 10M

E3F2-DS10B4-M 10M

Teilbestand: 561

Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 3.937" (100mm), Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 2.5ms, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Wire,

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E3Z-D62-G2SHW-CN

E3Z-D62-G2SHW-CN

Teilbestand: 534

Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 39.370" (1m), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Cable,

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