Optische Sensoren – optoelektronisch, indust

E3S-R16

E3S-R16

Teilbestand: 3744

Erfassungsmethode: Retroreflective, Polarized, Erfassungsabstand: 3.937" ~ 39.370" (100mm ~ 1m) ADJ, Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Cable,

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E3JM-10M4-N

E3JM-10M4-N

Teilbestand: 435

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 393.7" (10m) 32.8', Spannungsversorgung: 12V ~ 240V, 24V ~ 240V, Reaktionszeit: 30ms, Ausgangskonfiguration: Light-On/Dark-On, Verbindungsmethode: Terminal Block,

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E3F2-R4C4F

E3F2-R4C4F

Teilbestand: 600

Erfassungsmethode: Retroreflective, Polarized, Erfassungsabstand: 3.937" ~ 157.480" (100mm ~ 4m) ADJ, Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector, Verbindungsmethode: Connector,

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E3JU-25DM4T-6

E3JU-25DM4T-6

Teilbestand: 412

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 984.252" (25m), Spannungsversorgung: 24 ~ 240VAC, 12 ~ 240VDC, Reaktionszeit: 12ms, Ausgangskonfiguration: Relay - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Cable,

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E3Z-R61-J0SRW-CN

E3Z-R61-J0SRW-CN

Teilbestand: 472

Erfassungsmethode: Retroreflective, Erfassungsabstand: 157.480" (4m), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: NPN, Verbindungsmethode: Cable,

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E3Z-T81-M5J 0.3M

E3Z-T81-M5J 0.3M

Teilbestand: 377

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 590.551" (15m), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Cable,

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MS46-IP67-870-S
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E3S-DS30B41 5M

E3S-DS30B41 5M

Teilbestand: 3597

Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 11.811" (300mm), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Wire,

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E3Z-T81-J0SRL-M3

E3Z-T81-J0SRL-M3

Teilbestand: 736

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 15m, Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: PNP Transistor, Verbindungsmethode: Cable,

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E3S-BR81

E3S-BR81

Teilbestand: 3658

Erfassungsmethode: Retroreflective, Polarized, Erfassungsabstand: 39.370" (1m), Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 500µs, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Cable,

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E3F2-R2RB41-M-E 5M

E3F2-R2RB41-M-E 5M

Teilbestand: 3537

Erfassungsmethode: Retroreflective, Polarized, Erfassungsabstand: 3.937" ~ 78.740" (100mm ~ 2m) ADJ, Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 2.5ms, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Wire,

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E3F2-D1B4-M 2M

E3F2-D1B4-M 2M

Teilbestand: 3725

Erfassungsmethode: Reflective, Diffuse, Erfassungsabstand: 39.370" (1m), Spannungsversorgung: 10V ~ 30V, Reaktionszeit: 1ms, Ausgangskonfiguration: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, Verbindungsmethode: Wire,

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MS46-IP67-610-S
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E3HQ-CT12 5M

E3HQ-CT12 5M

Teilbestand: 149

Erfassungsmethode: Through-Beam, Erfassungsabstand: 31.496" (800mm), Spannungsversorgung: 12V ~ 24V, Reaktionszeit: 5ms, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector/Dark-ON, Verbindungsmethode: Cable,

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