Ausgangskonfiguration: Half Bridge, Anwendungen: General Purpose, Schnittstelle: On/Off, Lasttyp: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds Ein (Typ): 1.53 Ohm,
Ausgangskonfiguration: Half Bridge, Anwendungen: General Purpose, Schnittstelle: On/Off, Lasttyp: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds Ein (Typ): 400 mOhm,
Ausgangskonfiguration: Half Bridge, Anwendungen: General Purpose, Schnittstelle: On/Off, Lasttyp: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds Ein (Typ): 1 Ohm,
Ausgangskonfiguration: Half Bridge, Anwendungen: General Purpose, Schnittstelle: On/Off, Lasttyp: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds Ein (Typ): 740 mOhm,
Ausgangskonfiguration: Half Bridge, Anwendungen: General Purpose, Schnittstelle: On/Off, Lasttyp: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds Ein (Typ): 600 mOhm,
Ausgangskonfiguration: Half Bridge, Anwendungen: General Purpose, Schnittstelle: On/Off, Lasttyp: Inductive, Technologie: Power MOSFET, Rds Ein (Typ): 260 mOhm,
