FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 2A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 500 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,
FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250mA,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 4 N-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 175 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 Ohm @ 2A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A,
FET-Typ: 5 P-Channel, Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V,
FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 4 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 3A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,
FET-Typ: 5 N-Channel, Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 3A, 4V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,