Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 65M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 82.3mW @ 65MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 105M, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: 1.5 ~ 2.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 1.3W @ 105MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 80M, Datenschnittstelle: Serial LVDS, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 295mW @ 80MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 10, Abtastrate (pro Sekunde): 105M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 540mW @ 105MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 2M, Datenschnittstelle: CMOS, Serial, Eingabebereich: 8Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 35mW @ 2MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 15, Datenschnittstelle: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 250M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1.5Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 392mW @ 250MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 5M, Datenschnittstelle: CMOS, Serial, Eingabebereich: 8Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 45mW @ 5MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 18, Abtastrate (pro Sekunde): 500k, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: ±10.24V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 35mW @ 500kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 310M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1.32Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 415mW @ 310MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 40M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1.5 ~ 2.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 480mW @ 40MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 125M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 204mW @ 125MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 105M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 2.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 900mW @ 105MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 10, Abtastrate (pro Sekunde): 105M, Datenschnittstelle: CMOS, LVDS, Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 475mW @ 105MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 100k, Datenschnittstelle: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 105M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 187mW @ 105MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 500k, Datenschnittstelle: MICROWIRE™, Serial, SPI™, Eingabebereich: ±VREF/2, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 14mW @ 500kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 1.6M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: ±4.096V,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 8k, Datenschnittstelle: MICROWIRE™, Serial, SPI™,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 25M, Datenschnittstelle: Serial LVDS, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 124mW @ 25MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 25M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 75mW @ 25MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 30, Datenschnittstelle: SPI,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 10, Abtastrate (pro Sekunde): 65M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 205mW @ 65MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 4 and 8, Anzahl der Bits: 12, 14, 16, Abtastrate (pro Sekunde): 5M, 2M, 1.5M, Datenschnittstelle: Serial,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 2.5M, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: 0 ~ VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 25mW @ 2.5MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 600, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±80mV, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 125mW @ 600SPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 500k, Datenschnittstelle: Serial, Parallel, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 67mW @ 500kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 1M, Datenschnittstelle: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, Eingabebereich: ±10V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 31mW @ 1MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 96k, Datenschnittstelle: SPI,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 18, Abtastrate (pro Sekunde): 2M, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 29mW @ 2MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 3, Anzahl der Bits: 24, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: ±31.25mV,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 78.1k, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±320mV, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 237mW @ 78.1kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 250k, Datenschnittstelle: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, Eingabebereich: 0 ~ VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 12.5mW @ 250kSPS, 5V,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 500k, Datenschnittstelle: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, Eingabebereich: 0 ~ VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 19mW @ 500kSPS, 5V,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 1M, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: 0 ~ VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 2.3mW @ 1MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 8, 10, 12, Abtastrate (pro Sekunde): 1M, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: 0 ~ 2.5V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 13.5mW @ 1MSPS, 5V,
