Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 130M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 2.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 1.498W @ 130MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 25M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 2.5Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 220mW @ 25MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 25M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 75mW @ 25MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 65M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 160.9mW @ 65MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 500k, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: 0 ~ VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 6.75mW @ 500kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 60, Datenschnittstelle: I²C, Serial, Eingabebereich: ±VREF,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 25M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 150mW @ 25MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 25M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 115.2mW @ 25MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 105M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 2.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 1.45W @ 105MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 4, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 40M, Datenschnittstelle: Serial LVDS, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 256mW @ 40MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 125M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 209mW @ 125MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 170M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1.5Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 349mW @ 170MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 500k, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: ±2.5V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 6.5mW @ 500kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 10, Abtastrate (pro Sekunde): 135M, Datenschnittstelle: CMOS, LVDS, Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 822mW @ 135MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 8, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 25M, Datenschnittstelle: Serial LVDS, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 477mW @ 25MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 80M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 422mW @ 80MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 80M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 161mW @ 80MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 20M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 2.1Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 299mW @ 20MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 65M, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: 1.5 ~ 2.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 990mW @ 65MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 2, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 125M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 293mW @ 125MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 18, Abtastrate (pro Sekunde): 200k, Datenschnittstelle: LVDS, Serial, SPI, Eingabebereich: ±10.24V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 284mW @ 200kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 800k, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: ±2.5V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 150mW @ 800kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 14, Abtastrate (pro Sekunde): 80M, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: 1 ~ 2Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 222mW @ 80MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 7.5, Datenschnittstelle: I²C, Serial,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 210M, Datenschnittstelle: Parallel, Serial, SPI, Eingabebereich: 1.5Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 364mW @ 210MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, 14, 16, Abtastrate (pro Sekunde): 250k, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: 7 ~ 9V,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 1M, Datenschnittstelle: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, Eingabebereich: 0 ~ VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 2.8mW @ 1MSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 625k, Datenschnittstelle: Parallel, Eingabebereich: ±3.25Vpp, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 958mW @ 625kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 250k, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 12.5mW @ 250kSPS, 5V,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 64k, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 10.5mW @ 64kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 24, Abtastrate (pro Sekunde): 15.4k, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±10V, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 85mW @ 5V,
Anzahl der A/D-Wandler: 8, Anzahl der Bits: 16, Abtastrate (pro Sekunde): 256k, Datenschnittstelle: SPI, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 631mW @ 256kSPS,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 1M, Datenschnittstelle: DSP, MICROWIRE™, QSPI™, Serial, SPI™, Eingabebereich: 0 ~ 5.25V,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 12, Abtastrate (pro Sekunde): 125, Datenschnittstelle: Serial, Eingabebereich: ±VREF,
Anzahl der A/D-Wandler: 1, Anzahl der Bits: 18, Abtastrate (pro Sekunde): 100k, Datenschnittstelle: Serial, Parallel, Eingabebereich: ±VREF, Leistung (Typ) @ Bedingungen: 31mW @ 100kSPS,
