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Optische Sensoren - Reflektierend - Analogausgang

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GP2S40JJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S40JJ000F

Teilbestand: 4316

Erfassungsabstand: 0.138" (3.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2S27T
Sharp Microelectronics

GP2S27T

Teilbestand: 2691

Erfassungsabstand: 0.031" (0.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

Wunschzettel
GP2L20R
Sharp Microelectronics

GP2L20R

Teilbestand: 2748

Erfassungsabstand: 0.512" (13mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

Wunschzettel
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S24J0000F

Teilbestand: 4326

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

Wunschzettel
GP2S40J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S40J0000F

Teilbestand: 2712

Erfassungsabstand: 0.138" (3.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

Wunschzettel
GP2L24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24ABJ00F

Teilbestand: 2712

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

Wunschzettel
GP2L26
Sharp Microelectronics

GP2L26

Teilbestand: 2756

Erfassungsabstand: 0.031" (0.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

Wunschzettel
GP2S24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

Teilbestand: 2737

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2S27T2J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T2J00F

Teilbestand: 4345

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2L24
Sharp Microelectronics

GP2L24

Teilbestand: 4363

Erfassungsabstand: 0.031" (0.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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GP2S24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24ABJ00F

Teilbestand: 2735

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2L24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2L24J0000F

Teilbestand: 2726

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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GP2S27T6J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T6J00F

Teilbestand: 2679

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2S27TJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S27TJ000F

Teilbestand: 2724

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2S24CJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S24CJ000F

Teilbestand: 2724

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2S60A
Sharp Microelectronics

GP2S60A

Teilbestand: 2778

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2S27T3J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T3J00F

Teilbestand: 2727

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2S24
Sharp Microelectronics

GP2S24

Teilbestand: 4283

Erfassungsabstand: 0.031" (0.8mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2L24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24BCJ00F

Teilbestand: 2763

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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GP2L24BJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24BJ00F

Teilbestand: 2769

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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GP2S28
Sharp Microelectronics

GP2S28

Teilbestand: 2729

Erfassungsabstand: 0.551" (14mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 60mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2L24CJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24CJ00F

Teilbestand: 2708

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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GP2S24BJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S24BJ000F

Teilbestand: 2701

Erfassungsabstand: 0.028" (0.7mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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GP2S40
Sharp Microelectronics

GP2S40

Teilbestand: 2756

Erfassungsabstand: 0.256" (6.5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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