Optische Sensoren - Fotounterbrecher - Schlitztyp

GP1S194HCZ0F

GP1S194HCZ0F

Teilbestand: 6069

Erfassungsabstand: 0.067" (1.7mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor,

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GP1S59J0000F

GP1S59J0000F

Teilbestand: 9615

Erfassungsabstand: 0.165" (4.2mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S296HCPSF

GP1S296HCPSF

Teilbestand: 145

Erfassungsabstand: 0.039" (1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S093HCZ0F

GP1S093HCZ0F

Teilbestand: 50627

Erfassungsabstand: 0.079" (2mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S094HCZ0F

GP1S094HCZ0F

Teilbestand: 109363

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S52VJ000F

GP1S52VJ000F

Teilbestand: 143247

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S396HCPSF

GP1S396HCPSF

Teilbestand: 198773

Erfassungsabstand: 0.047" (1.2mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: NPN - Open Collector, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S092HCPIF

GP1S092HCPIF

Teilbestand: 177339

Erfassungsabstand: 0.079" (2mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S196HCPSF

GP1S196HCPSF

Teilbestand: 161

Erfassungsabstand: 0.043" (1.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S53VJ000F

GP1S53VJ000F

Teilbestand: 58604

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S196HCZ0F

GP1S196HCZ0F

Teilbestand: 151

Erfassungsabstand: 0.043" (1.1mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 30mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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GP1S51VJ000F

GP1S51VJ000F

Teilbestand: 49232

Erfassungsabstand: 0.118" (3mm), Erfassungsmethode: Transmissive, Ausgangskonfiguration: Phototransistor, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V,

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