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TC58NYG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI4

Teilbestand: 1439

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58CYG1S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CYG1S3HRAIG

Teilbestand: 1919

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 104MHz,

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TC58NVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTAI0

Teilbestand: 8902

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI4

Teilbestand: 1435

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4

Teilbestand: 1393

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HTAI0

Teilbestand: 16444

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HTA00

Teilbestand: 566

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG2S0HBAI6

Teilbestand: 17237

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG2S3HTA00

Teilbestand: 14392

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 1415

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI6

Teilbestand: 17248

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58CVG2S0HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 7253

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Taktfrequenz: 104MHz,

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TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG1S3HBAI4

Teilbestand: 1370

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58CYG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 3118

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Taktfrequenz: 104MHz,

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TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG2S0HBAI4

Teilbestand: 8884

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TH58BVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TH58BVG2S3HTA00

Teilbestand: 14305

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 17220

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TH58NVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 7000

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 14306

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 14321

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG2S0HBAI6

Teilbestand: 17235

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 4Gb (512M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HTA00

Teilbestand: 1523

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI4

Teilbestand: 1411

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI4

Teilbestand: 24524

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 669

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 577

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

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Teilbestand: 25500

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3HBAI6

Teilbestand: 25447

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI6

Teilbestand: 2239

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NYG1S3HBAI6

Teilbestand: 25501

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HTAI0

Teilbestand: 24548

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 2Gb (256M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58CVG0S3HRAIG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58CVG0S3HRAIG

Teilbestand: 1485

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Taktfrequenz: 104MHz,

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TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HTAI0

Teilbestand: 2401

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI6

Teilbestand: 33228

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HTAI0

Teilbestand: 31571

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

Teilbestand: 33224

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: FLASH, Technologie: FLASH - NAND (SLC), Speichergröße: 1Gb (128M x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 25ns,

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