Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

HCT802

Teilbestand: 2104

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, 1.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel

TT Electronics/Optek Technology

HCT802TXV

Teilbestand: 1527

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, 1.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel

TT Electronics/Optek Technology

HCT802TX

Teilbestand: 1374

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A, 1.1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

Wunschzettel