Teilbestand: 1219
FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 5V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.45 mOhm @ 60A, 4.5V,
