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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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SIA448DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA448DJ-T1-GE3

Teilbestand: 169988

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 12.4A, 4.5V,

Wunschzettel
SI4404DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4404DY-T1-E3

Teilbestand: 1527

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 23A, 10V,

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SI4434DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-GE3

Teilbestand: 68716

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 3A, 10V,

Wunschzettel
IRFI624GPBF
Vishay Siliconix

IRFI624GPBF

Teilbestand: 1532

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 10V,

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SIE832DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE832DF-T1-GE3

Teilbestand: 43943

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 14A, 10V,

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IRLZ14S
Vishay Siliconix

IRLZ14S

Teilbestand: 1538

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 5V,

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SI4386DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4386DY-T1-GE3

Teilbestand: 159083

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

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IRFR210PBF
Vishay Siliconix

IRFR210PBF

Teilbestand: 69131

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.6A, 10V,

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SQ4182EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4182EY-T1_GE3

Teilbestand: 10824

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 14A, 10V,

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SI4455DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4455DY-T1-E3

Teilbestand: 73600

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 295 mOhm @ 4A, 10V,

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SI4412ADY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4412ADY-T1-E3

Teilbestand: 1496

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 8A, 10V,

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SI4426DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4426DY-T1-E3

Teilbestand: 108121

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 8.5A, 4.5V,

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SUP75N03-04-E3
Vishay Siliconix

SUP75N03-04-E3

Teilbestand: 1524

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 75A, 10V,

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SUD35N05-26L-E3
Vishay Siliconix

SUD35N05-26L-E3

Teilbestand: 1474

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

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SI4425BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-GE3

Teilbestand: 78344

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

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IRF9530PBF
Vishay Siliconix

IRF9530PBF

Teilbestand: 45568

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 7.2A, 10V,

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SI4800BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4800BDY-T1-E3

Teilbestand: 126818

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18.5 mOhm @ 9A, 10V,

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SI4464DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

Teilbestand: 159052

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 2.2A, 10V,

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SI4100DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4100DY-T1-GE3

Teilbestand: 125140

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 63 mOhm @ 4.4A, 10V,

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SUD23N06-31L-E3
Vishay Siliconix

SUD23N06-31L-E3

Teilbestand: 118954

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 15A, 10V,

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SI4010DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4010DY-T1-GE3

Teilbestand: 167778

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 15A, 10V,

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IRL520PBF
Vishay Siliconix

IRL520PBF

Teilbestand: 63689

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 270 mOhm @ 5.5A, 5V,

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SI4831BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

Teilbestand: 1596

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

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SI9433BDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9433BDY-T1-GE3

Teilbestand: 100195

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 6.2A, 4.5V,

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SQ4425EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4425EY-T1_GE3

Teilbestand: 10789

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 13A, 10V,

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SQ4483EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4483EY-T1_GE3

Teilbestand: 10770

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SI4103DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4103DY-T1-GE3

Teilbestand: 10820

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.9 mOhm @ 10A, 10V,

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SQ4483BEEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4483BEEY-T1_GE3

Teilbestand: 10837

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 10A, 10V,

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IRFDC20PBF
Vishay Siliconix

IRFDC20PBF

Teilbestand: 29452

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.4 Ohm @ 190mA, 10V,

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SIHH28N60E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH28N60E-T1-GE3

Teilbestand: 10451

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 29A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 14A, 10V,

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SI4888DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4888DY-T1-E3

Teilbestand: 1502

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 mOhm @ 16A, 10V,

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SI7790DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7790DP-T1-GE3

Teilbestand: 49817

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

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SI4884BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4884BDY-T1-E3

Teilbestand: 128225

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 10A, 10V,

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IRFP460NPBF
Vishay Siliconix

IRFP460NPBF

Teilbestand: 1584

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 12A, 10V,

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SUD50N06-07L-E3
Vishay Siliconix

SUD50N06-07L-E3

Teilbestand: 1499

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 96A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.4 mOhm @ 20A, 10V,

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SI4143DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4143DY-T1-GE3

Teilbestand: 81402

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.2 mOhm @ 12A, 10V,

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