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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRF630PBF
Vishay Siliconix

IRF630PBF

Teilbestand: 61030

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

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SI1069X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1069X-T1-GE3

Teilbestand: 167518

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 184 mOhm @ 940mA, 4.5V,

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SIHP24N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP24N65E-GE3

Teilbestand: 11654

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

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SI5415AEDU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5415AEDU-T1-GE3

Teilbestand: 192191

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V,

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SI7116DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7116DN-T1-E3

Teilbestand: 74965

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V,

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IRFR9214PBF
Vishay Siliconix

IRFR9214PBF

Teilbestand: 46648

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

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SIA415DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA415DJ-T1-GE3

Teilbestand: 182929

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

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SUD19P06-60L-E3
Vishay Siliconix

SUD19P06-60L-E3

Teilbestand: 125159

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

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SQJ486EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ486EP-T1_GE3

Teilbestand: 165181

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 51A, 10V,

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SIHG33N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG33N60E-GE3

Teilbestand: 9978

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

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SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA418DJ-T1-GE3

Teilbestand: 115181

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V,

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SI3443BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-E3

Teilbestand: 115293

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

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SI7119DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7119DN-T1-E3

Teilbestand: 164009

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.05 Ohm @ 1A, 10V,

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SIA444DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA444DJT-T1-GE3

Teilbestand: 190064

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 7.4A, 10V,

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SIE868DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE868DF-T1-GE3

Teilbestand: 60974

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 20A, 10V,

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SI4186DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4186DY-T1-GE3

Teilbestand: 135918

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

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SI5404BDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5404BDC-T1-E3

Teilbestand: 105827

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

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SI7164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7164DP-T1-GE3

Teilbestand: 63494

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.25 mOhm @ 10A, 10V,

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IRFP27N60KPBF
Vishay Siliconix

IRFP27N60KPBF

Teilbestand: 8963

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 16A, 10V,

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SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2319CDS-T1-GE3

Teilbestand: 166284

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 77 mOhm @ 3.1A, 10V,

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SIR892DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR892DP-T1-GE3

Teilbestand: 54262

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

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SIHP22N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP22N60E-GE3

Teilbestand: 16471

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

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SUD50N06-09L-E3
Vishay Siliconix

SUD50N06-09L-E3

Teilbestand: 54264

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ476EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ476EP-T1_GE3

Teilbestand: 119114

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 10A, 10V,

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SIR422DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR422DP-T1-GE3

Teilbestand: 139862

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

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SI2306BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2306BDS-T1-E3

Teilbestand: 125659

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.16A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI7141DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7141DP-T1-GE3

Teilbestand: 65801

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

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SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ459EP-T1_GE3

Teilbestand: 136666

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 52A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI7655ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7655ADN-T1-GE3

Teilbestand: 178778

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

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SQ2315ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2315ES-T1_GE3

Teilbestand: 126329

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI3442BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-E3

Teilbestand: 121173

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

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SIHG22N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG22N65E-GE3

Teilbestand: 12610

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

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SIE810DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE810DF-T1-GE3

Teilbestand: 40414

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

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SISA18ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA18ADN-T1-GE3

Teilbestand: 138151

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SQJ456EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

Teilbestand: 29509

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 9.3A, 10V,

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SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH14N65EF-T1-GE3

Teilbestand: 25762

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 271 mOhm @ 7A, 10V,

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