Thyristoren - SCRs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 21

VS-VSKT91/10

Teilbestand: 1785

Struktur: Series Connection - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 95A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 210A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-14PBF

Teilbestand: 220

Struktur: Series Connection - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 1.4kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 500A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 785A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL105/10

Teilbestand: 1868

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 105A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 235A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH41/10

Teilbestand: 2001

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 45A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 100A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN105/10

Teilbestand: 1891

Struktur: Common Anode - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 105A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 235A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P401W

Teilbestand: 1982

Struktur: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, 2 Diodes, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-08PBF

Teilbestand: 463

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 250A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 555A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN91/04

Teilbestand: 1902

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 95A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 210A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT250-20PBF

Teilbestand: 220

Struktur: Series Connection - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 2kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 250A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 555A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV250-08PBF

Teilbestand: 550

Struktur: Common Anode - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 800V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 250A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 555A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL250-08PBF

Teilbestand: 403

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 250A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 555A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT500-08PBF

Teilbestand: 216

Struktur: Series Connection - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 800V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 500A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 785A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKU26/10

Teilbestand: 2076

Struktur: Common Cathode - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 27A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 60A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P104

Teilbestand: 2145

Struktur: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, 2 Diodes, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-14PBF

Teilbestand: 406

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1.4kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 230A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 510A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/08

Teilbestand: 1825

Struktur: Series Connection - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 800V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 95A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 210A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-12PBF

Teilbestand: 485

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 250A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 555A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT56/12

Teilbestand: 1864

Struktur: Series Connection - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 1.2kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 60A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 135A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P104W

Teilbestand: 2109

Struktur: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, 2 Diodes, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH105/06

Teilbestand: 1917

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 600V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 105A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 235A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL71/10

Teilbestand: 1875

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 75A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 165A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKN41/12

Teilbestand: 2056

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1.2kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 45A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 100A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKS500/08PBF

Teilbestand: 260

Struktur: Single, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, Spannung - Aus-Zustand: 800V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 500A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 785A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-T90RIA100

Teilbestand: 2031

Struktur: Single, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 90A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 141A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL250-14PBF

Teilbestand: 495

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 250A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 555A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P402W

Teilbestand: 1813

Struktur: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, 2 Diodes, Spannung - Aus-Zustand: 600V, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKV41/10

Teilbestand: 1949

Struktur: Common Cathode - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 45A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 70A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL230-12PBF

Teilbestand: 455

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1.2kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 230A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 510A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL71/16

Teilbestand: 1772

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1.6kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 75A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 165A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P403

Teilbestand: 2002

Struktur: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, 2 Diodes, Spannung - Aus-Zustand: 800V, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 40A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKT91/16

Teilbestand: 1593

Struktur: Series Connection - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 1.6kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 95A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 210A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P131

Teilbestand: 2505

Struktur: Bridge, Single Phase - All SCRs, Anzahl SCRs, Dioden: 4 SCRs, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH250-20PBF

Teilbestand: 265

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 250A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 555A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-P401

Teilbestand: 2015

Struktur: Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1), Anzahl SCRs, Dioden: 2 SCRs, 2 Diodes, Spannung - Aus-Zustand: 400V, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 40A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKH230-20PBF

Teilbestand: 423

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 2kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 230A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 510A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 3V,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSKL26/10

Teilbestand: 2133

Struktur: Series Connection - SCR/Diode, Anzahl SCRs, Dioden: 1 SCR, 1 Diode, Spannung - Aus-Zustand: 1kV, Strom - Ein-Zustand (It (AV)) (Max): 27A, Strom - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max): 60A, Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (Max): 2.5V,

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