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Schnittstelle - Analoge Schalter, Multiplexer, Dem

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DG212BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG212BDQ-T1-E3

Teilbestand: 79942

Schaltkreis: SPST - NO, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 85 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 2 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 4.5V ~ 25V,

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DG3536DB-T5-E1
Vishay Siliconix

DG3536DB-T5-E1

Teilbestand: 90437

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 2, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 400 mOhm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 50 mOhm (Max), Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 2.7V ~ 3.3V,

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DG419LEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG419LEDQ-T1-GE3

Teilbestand: 16582

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 18 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 3V ~ 16V,

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DG308BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG308BDY-T1-E3

Teilbestand: 63847

Schaltkreis: SPST - NO, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 85 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 1.7 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 4V ~ 44V,

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DG9408EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG9408EDN-T1-GE4

Teilbestand: 63849

Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 8:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 7 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 3.6 Ohm (Max), Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 2.7V ~ 12V,

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DG611EEQ-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG611EEQ-T1-GE4

Teilbestand: 9978

Schaltkreis: SPST - NC, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 115 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 2.5 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 3V ~ 12V,

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DG2517EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2517EDN-T1-GE4

Teilbestand: 98649

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 2, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 3.1 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 10 mOhm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.8V ~ 5.5V,

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DG508BEN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG508BEN-T1-GE4

Teilbestand: 72413

Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 8:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 380 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 10 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 12V,

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DG412LEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG412LEDQ-T1-GE3

Teilbestand: 98646

Schaltkreis: SPST - NO, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 26 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 3V ~ 16V,

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DG309BDQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG309BDQ-T1-E3

Teilbestand: 67880

Schaltkreis: SPST - NC, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 85 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 1.7 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 4V ~ 44V,

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DG409LEDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG409LEDN-T1-GE4

Teilbestand: 98632

Schaltkreis: SP4T, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 4:1, Anzahl der Kreise: 2, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 23 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 1 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 3V ~ 16V,

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DG2788ADN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2788ADN-T1-GE4

Teilbestand: 178652

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 2, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 500 mOhm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 50 mOhm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.8V ~ 5.5V,

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DG413DY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG413DY-T1-E3

Teilbestand: 85468

Schaltkreis: SPST - NO/NC, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 35 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 5V ~ 44V,

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DG441LEDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG441LEDY-T1-GE3

Teilbestand: 137745

Schaltkreis: SPST - NC, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 26 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 100 mOhm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 3V ~ 16V,

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DG411DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

DG411DQ-T1-E3

Teilbestand: 73378

Schaltkreis: SPST - NC, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 35 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 5V ~ 44V,

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DG2032EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG2032EDN-T1-GE4

Teilbestand: 121714

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 2, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 3.1 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 10 mOhm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.8V ~ 5.5V,

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DG212BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

DG212BDY-T1-E3

Teilbestand: 87079

Schaltkreis: SPST - NO, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 1:1, Anzahl der Kreise: 4, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 85 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 2 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 4.5V ~ 25V,

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DG4157EDN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG4157EDN-T1-GE4

Teilbestand: 157

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 1.2 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 120 mOhm (Max), Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.65V ~ 5.5V,

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DG2001EDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG2001EDV-T1-GE3

Teilbestand: 134

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 1.6 Ohm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.8V ~ 5.5V,

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DG2002EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG2002EDL-T1-GE3

Teilbestand: 108

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 8 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 40 mOhm (Typ), Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.8V ~ 5.5V,

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DG4157EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG4157EDL-T1-GE3

Teilbestand: 9983

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 1.2 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 120 mOhm (Max), Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.65V ~ 5.5V,

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DG3157EDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

DG3157EDL-T1-GE3

Teilbestand: 121

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 9 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 90 mOhm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.65V ~ 5.5V,

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DG3257DN-T1-GE4
Vishay Siliconix

DG3257DN-T1-GE4

Teilbestand: 155258

Schaltkreis: SPDT, Multiplexer/Demultiplexer-Schaltung: 2:1, Anzahl der Kreise: 1, Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.): 6 Ohm, Kanal-zu-Kanal-Abgleich (ΔRon): 600 mOhm, Spannung - Versorgung, einzeln (V+): 1.65V ~ 5.5V,

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